一种用于半导体制造的激光退火设备及退火工艺

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	一种用于半导体制造的激光退火设备及退火工艺
其他题名	一种用于半导体制造的激光退火设备及退火工艺
	严利人; 周卫; 刘朋; 刘志弘; 窦维治
	2009-06-17
专利权人	清华大学
公开日期	2009-06-17
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了属于半导体制造设备范围的一种用于半导体激光退火设备及退火工艺。该激光退火设备，由准分子激光源，激光光束的扩束、匀束、边沿处理等的光路，二维精确移动平台，预加热控温片台，以及整机自动控制系统构成。其中退火激光源采用先进的大功率准分子脉冲激光。激光器出射激光经扩束、整形、匀束、边沿处理后，经过镜面系统反射，最终照射到待退火晶圆片表面的退火场。本发明对预加热和逐场步进技术要求实行优化，实现更加容易。由于采用逐场步进式退火，带来更加均匀的场内、场间退火效果。能够方便地对光束处理系统和精确移动机构进行冷却保温，有利于提高退火光束质量和退火效果的重复性、均匀性。
其他摘要	本发明公开了属于半导体制造设备范围的一种用于半导体激光退火设备及退火工艺。该激光退火设备，由准分子激光源，激光光束的扩束、匀束、边沿处理等的光路，二维精确移动平台，预加热控温片台，以及整机自动控制系统构成。其中退火激光源采用先进的大功率准分子脉冲激光。激光器出射激光经扩束、整形、匀束、边沿处理后，经过镜面系统反射，最终照射到待退火晶圆片表面的退火场。本发明对预加热和逐场步进技术要求实行优化，实现更加容易。由于采用逐场步进式退火，带来更加均匀的场内、场间退火效果。能够方便地对光束处理系统和精确移动机构进行冷却保温，有利于提高退火光束质量和退火效果的重复性、均匀性。
申请日期	2008-12-30
专利号	CN101459057A
专利状态	失效
申请号	CN200810241107.X
公开（公告）号	CN101459057A
IPC 分类号	H01L21/00
专利代理人	史双元
代理机构	北京众合诚成知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85670
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	清华大学
推荐引用方式 GB/T 7714	严利人,周卫,刘朋,等. 一种用于半导体制造的激光退火设备及退火工艺. CN101459057A[P]. 2009-06-17.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101459057A.PDF（622KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文