一种低热应力结构的高功率半导体激光器

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	一种低热应力结构的高功率半导体激光器
其他题名	一种低热应力结构的高功率半导体激光器
	刘兴胜; 王警卫
	2014-07-30
专利权人	西安炬光科技股份有限公司
公开日期	2014-07-30
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型提供一种低热应力结构的高功率半导体激光器，该结构的半导体激光器热应力低，能够适应复杂工作环境。该高功率半导体激光器主要包括依次层叠的四层结构，第一层是作为正极连接块的热沉，热沉的安装平面上设置有芯片安装区和绝缘区，第二层包括半导体激光器芯片和绝缘片，半导体激光器芯片焊接于所述芯片安装区，绝缘片安装于所述绝缘区，第三层是起导电作用的电极连接层，第四层是负极连接块；所述电极连接层中，与半导体激光器芯片焊接的部位为平面齿状结构，用以降低电极连接层与芯片之间的热应力，该部位与负极连接块保持间隙，电极连接层的其他部位与负极连接块焊接。
其他摘要	本实用新型提供一种低热应力结构的高功率半导体激光器，该结构的半导体激光器热应力低，能够适应复杂工作环境。该高功率半导体激光器主要包括依次层叠的四层结构，第一层是作为正极连接块的热沉，热沉的安装平面上设置有芯片安装区和绝缘区，第二层包括半导体激光器芯片和绝缘片，半导体激光器芯片焊接于所述芯片安装区，绝缘片安装于所述绝缘区，第三层是起导电作用的电极连接层，第四层是负极连接块；所述电极连接层中，与半导体激光器芯片焊接的部位为平面齿状结构，用以降低电极连接层与芯片之间的热应力，该部位与负极连接块保持间隙，电极连接层的其他部位与负极连接块焊接。
申请日期	2013-12-25
专利号	CN203747236U
专利状态	授权
申请号	CN201320877486.8
公开（公告）号	CN203747236U
IPC 分类号	H01S5/024 \| H01S5/042
专利代理人	胡乐
代理机构	西安智邦专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85642
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	西安炬光科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	刘兴胜,王警卫. 一种低热应力结构的高功率半导体激光器. CN203747236U[P]. 2014-07-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN203747236U.PDF（497KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文