III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法

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	III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法
其他题名	III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法
	高木慎平; 善积祐介; 片山浩二; 上野昌纪; 池上隆俊
	2014-07-23
专利权人	住友电气工业株式会社
公开日期	2014-07-23
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明提供一种在六方晶系第III族氮化物的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器的第III族氮化物半导体激光元件、及稳定制作该第III族氮化物半导体激光元件的方法。在位于第III族氮化物半导体激光元件(11)的阳极侧的第一面(13a)的四个角部，分别形成有缺口部(113a)等缺口部。缺口部(113a)等为为了分离元件(11)而设的刻划槽的一部分。刻划槽为由激光刻划器而形成，刻划槽的形状为通过控制激光刻划器而调整。例如，缺口部(113a)等的深度与第III族氮化物半导体激光元件(11)的厚度之比为0.05以上0.4以下，缺口部(113a)的端部的侧壁面的倾斜度为45度以上85度以下，缺口部(113b)的端部的侧壁面的倾斜度为10度以上30度以下。
其他摘要	本发明提供一种在六方晶系第III族氮化物的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器的第III族氮化物半导体激光元件、及稳定制作该第III族氮化物半导体激光元件的方法。在位于第III族氮化物半导体激光元件(11)的阳极侧的第一面(13a)的四个角部，分别形成有缺口部(113a)等缺口部。缺口部(113a)等为为了分离元件(11)而设的刻划槽的一部分。刻划槽为由激光刻划器而形成，刻划槽的形状为通过控制激光刻划器而调整。例如，缺口部(113a)等的深度与第III族氮化物半导体激光元件(11)的厚度之比为0.05以上0.4以下，缺口部(113a)的端部的侧壁面的倾斜度为45度以上85度以下，缺口部(113b)的端部的侧壁面的倾斜度为10度以上30度以下。
申请日期	2010-11-04
专利号	CN102763293B
专利状态	失效
申请号	CN201080005492.3
公开（公告）号	CN102763293B
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	苏卉 \| 车文
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85640
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	住友电气工业株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	高木慎平,善积祐介,片山浩二,等. III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法. CN102763293B[P]. 2014-07-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102763293B.PDF（3436KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文