采用调制掺杂量子阱结构的阵列式半导体激光器

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	采用调制掺杂量子阱结构的阵列式半导体激光器
其他题名	采用调制掺杂量子阱结构的阵列式半导体激光器
	G·W·泰勒; S·邓肯
	2006-11-29
专利权人	康涅狄格大学
公开日期	2006-11-29
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种光学电子集成电路包括基片、在基片上形成的多层结构和在多层结构内形成的闸流晶体管器件和相应的谐振腔的阵列。通过以下方法来形成适合于处理不同波长的光的谐振腔：选择性地除去多层结构的一些部分，以便提供具有对应于不同波长而形成的不同垂直尺寸的谐振腔。所述多层结构的被选择性地除去以便提供多个波长的所述部分最好包括通过重复未掺杂的间隔层和未掺杂的蚀刻停止层对而形成的周期性子结构。所述多层结构可以由III－V族材料形成。在这种情况下，周期性子结构的未掺杂的间隔层和未掺杂的蚀刻停止层最好分别包括未掺杂的GaAs和未掺杂的AlAs。未掺杂的AlAs在通过包括氟的基于氯的气体混合物进行蚀刻的过程中起蚀刻停止器的作用。多波长闸流晶体管器件阵列可以用来实现提供各种各样光学电子的功能的器件，诸如基于闸流晶体管发射不同波长的光的激光器阵列；和/或基于闸流晶体管的检测不同波长的光(例如用于波分复用用途)的检波器阵列。
其他摘要	一种光学电子集成电路包括基片、在基片上形成的多层结构和在多层结构内形成的闸流晶体管器件和相应的谐振腔的阵列。通过以下方法来形成适合于处理不同波长的光的谐振腔：选择性地除去多层结构的一些部分，以便提供具有对应于不同波长而形成的不同垂直尺寸的谐振腔。所述多层结构的被选择性地除去以便提供多个波长的所述部分最好包括通过重复未掺杂的间隔层和未掺杂的蚀刻停止层对而形成的周期性子结构。所述多层结构可以由III－V族材料形成。在这种情况下，周期性子结构的未掺杂的间隔层和未掺杂的蚀刻停止层最好分别包括未掺杂的GaAs和未掺杂的AlAs。未掺杂的AlAs在通过包括氟的基于氯的气体混合物进行蚀刻的过程中起蚀刻停止器的作用。多波长闸流晶体管器件阵列可以用来实现提供各种各样光学电子的功能的器件，诸如基于闸流晶体管发射不同波长的光的激光器阵列；和/或基于闸流晶体管的检测不同波长的光(例如用于波分复用用途)的检波器阵列。
申请日期	2004-07-26
专利号	CN1871751A
专利状态	失效
申请号	CN200480027320.0
公开（公告）号	CN1871751A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/183 \| H01S5/40 \| H01S5/42
专利代理人	杨凯 \| 梁永
代理机构	中国专利代理(香港)有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85572
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	康涅狄格大学
推荐引用方式 GB/T 7714	G·W·泰勒,S·邓肯. 采用调制掺杂量子阱结构的阵列式半导体激光器. CN1871751A[P]. 2006-11-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1871751A.PDF（2547KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文