Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光元件 | |
| 其他题名 | 半导体激光元件 |
| 和田一彦; 宫嵜启介; 森本泰司; 辰巳正毅; 上田祯亮 | |
| 2005-12-07 | |
| 专利权人 | 夏普株式会社 |
| 公开日期 | 2005-12-07 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种半导体激光元件及其制造方法，该半导体激光元件中，在p型GaAs盖层的层厚和p型AlXGa1－XAs(X=0.550)第二包层的层厚相加的层厚与p型GaAs盖层的层厚和p型AlGaInP第二上包层的层厚相加的层厚的比跟干蚀刻p型GaAs盖层以及p型AlXGa1－XAs(X=0.550)第二包层时的蚀刻速率与干蚀刻p型GaAs盖层以及p型AlGaInP第二上包层时的蚀刻速率的比大致相同。 |
| 其他摘要 | 一种半导体激光元件及其制造方法，该半导体激光元件中，在p型GaAs盖层的层厚和p型AlXGa1－XAs(X=0.550)第二包层的层厚相加的层厚与p型GaAs盖层的层厚和p型AlGaInP第二上包层的层厚相加的层厚的比跟干蚀刻p型GaAs盖层以及p型AlXGa1－XAs(X=0.550)第二包层时的蚀刻速率与干蚀刻p型GaAs盖层以及p型AlGaInP第二上包层时的蚀刻速率的比大致相同。 |
| 申请日期 | 2005-06-01 |
| 专利号 | CN1705178A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200510075919.8 |
| 公开（公告）号 | CN1705178A |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | G11B7/125 | H01S5/00 | H01S5/223 | H01S5/343 | H01S5/40 | H01S5/323 |
| 专利代理人 | 李贵亮 | 杨梧 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85511 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 和田一彦,宫嵜启介,森本泰司,等. 半导体激光元件. CN1705178A[P]. 2005-12-07. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1705178A.PDF（1221KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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