Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光器及其制造方法 | |
| 其他题名 | 半导体激光器及其制造方法 |
| 竹川浩 | |
| 2005-09-21 | |
| 专利权人 | 夏普株式会社 |
| 公开日期 | 2005-09-21 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器及其制造方法。在该半导体激光器中，盖(32)的凸缘(33)带有直线切割部(34)，其数量与管座(35)的凹槽(36，37)的数量一致。当将切割部(34)定位在与管座(35)的凹槽(36，37)在位置上不相重叠的地方时，对盖(32)和管座(35)之间进行焊接。盖(32)的切割部(34)确保在管座(35)的没有凹槽(36，37)的区域得到大面积的参考面38。其结果是，在抑制小直径管座(35)的不平坦度相对于光轴与光学拾波器的参考面的法线偏移的偏移角θ的影响的同时，能够确保在光学特性上获得足够的精度。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器及其制造方法。在该半导体激光器中，盖(32)的凸缘(33)带有直线切割部(34)，其数量与管座(35)的凹槽(36，37)的数量一致。当将切割部(34)定位在与管座(35)的凹槽(36，37)在位置上不相重叠的地方时，对盖(32)和管座(35)之间进行焊接。盖(32)的切割部(34)确保在管座(35)的没有凹槽(36，37)的区域得到大面积的参考面38。其结果是，在抑制小直径管座(35)的不平坦度相对于光轴与光学拾波器的参考面的法线偏移的偏移角θ的影响的同时，能够确保在光学特性上获得足够的精度。 |
| 申请日期 | 2003-10-08 |
| 专利号 | CN1220313C |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200310120334.4 |
| 公开（公告）号 | CN1220313C |
| IPC 分类号 | H01S5/022 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 陶凤波 | 侯宇 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85505 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹川浩. 半导体激光器及其制造方法. CN1220313C[P]. 2005-09-21. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1220313C.PDF（603KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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