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具有发散区的半导体激光器单元
其他题名具有发散区的半导体激光器单元
S·巴尔萨莫; G·吉斯诺提; S·莫拉斯卡; F·特雷齐
2003-04-30
专利权人康宁O.T.I.股份公司
公开日期2003-04-30
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要一种耦合到单模光纤的半导体脊形激光器,有一个带有窄平行区的脊、一个发散区,然后一个邻接输出小面的宽平行区。激光器的抽运区可以小于脊的整个区域并具有“T”形。较佳地,脊的深度约350到550nm,窄平行区的长度超过脊整个长度0.4倍。在输出处的宽平行区使激光器能够获得低热阻,产生低工作温度、激光腔的低功率密度和低象散性。
其他摘要一种耦合到单模光纤的半导体脊形激光器,有一个带有窄平行区的脊、一个发散区,然后一个邻接输出小面的宽平行区。激光器的抽运区可以小于脊的整个区域并具有“T”形。较佳地,脊的深度约350到550nm,窄平行区的长度超过脊整个长度0.4倍。在输出处的宽平行区使激光器能够获得低热阻,产生低工作温度、激光腔的低功率密度和低象散性。
申请日期2000-12-20
专利号CN1415128A
专利状态失效
申请号CN00817842.9
公开(公告)号CN1415128A
IPC 分类号H01S5/22 | H01S5/042 | H01S5/10 | H01S5/20
专利代理人李玲
代理机构上海专利商标事务所
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85480
专题半导体激光器专利数据库
作者单位康宁O.T.I.股份公司
推荐引用方式
GB/T 7714
S·巴尔萨莫,G·吉斯诺提,S·莫拉斯卡,等. 具有发散区的半导体激光器单元. CN1415128A[P]. 2003-04-30.
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