复合电流调制半导体激光干涉仪

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	复合电流调制半导体激光干涉仪
其他题名	复合电流调制半导体激光干涉仪
	王渤帆; 李中梁; 王向朝; 崔丽君
	2012-08-15
专利权人	中国科学院上海光学精密机械研究所
公开日期	2012-08-15
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种复合电流调制半导体激光干涉仪，适用于距离测量。其结构包括光源、隔离器、光纤耦合器、准直器、光电探测器、分束镜、参考反射镜、信号处理器、反馈控制器。所述的光源带有驱动电源和温度控制器；驱动电源提供两个不同频率的正弦调制电流，对光源进行调制。光电探测器将接收到的干涉信号转换成电信号输入到信号处理器内计算待测距离。反馈控制器与光电探测器相连，通过反馈控制锁定高频调制深度。与在先技术相比，本发明的干涉仪结构简单紧凑，利用复合电流实现了双正弦相位调制；并通过反馈控制锁定工作参数，增强了系统稳定性，提高了测量精度，同时实现了实时测量。
其他摘要	一种复合电流调制半导体激光干涉仪，适用于距离测量。其结构包括光源、隔离器、光纤耦合器、准直器、光电探测器、分束镜、参考反射镜、信号处理器、反馈控制器。所述的光源带有驱动电源和温度控制器；驱动电源提供两个不同频率的正弦调制电流，对光源进行调制。光电探测器将接收到的干涉信号转换成电信号输入到信号处理器内计算待测距离。反馈控制器与光电探测器相连，通过反馈控制锁定高频调制深度。与在先技术相比，本发明的干涉仪结构简单紧凑，利用复合电流实现了双正弦相位调制；并通过反馈控制锁定工作参数，增强了系统稳定性，提高了测量精度，同时实现了实时测量。
申请日期	2012-04-13
专利号	CN102636109A
专利状态	授权
申请号	CN201210109794.6
公开（公告）号	CN102636109A
IPC 分类号	G01B9/02 \| G01B11/02
专利代理人	张泽纯
代理机构	上海新天专利代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85412
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院上海光学精密机械研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王渤帆,李中梁,王向朝,等. 复合电流调制半导体激光干涉仪. CN102636109A[P]. 2012-08-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102636109A.PDF（524KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文