半導体レーザ素子およびその製造方法

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	半導体レーザ素子およびその製造方法
其他题名	半導体レーザ素子およびその製造方法
	小野健一; 竹見政義
	2005-12-22
专利权人	MITSUBISHI ELECTRIC CORP
公开日期	2005-12-22
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】 p型層に低拡散性の不純物を添加した場合でも、バンド不連続に起因した素子抵抗や微分抵抗成分の上昇を抑制して、所望のデバイス特性を達成でき、高出力で高効率の半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体レーザ素子は、n型GaAsからなる基板7の上方に、III-V族化合物半導体でそれぞれ形成されたn型クラッド層5、活性層4およびp型クラッド層3が設けられ、p型クラッド層3の上に、III-V族化合物半導体からなるp型バンド不連続緩和層2を介して、p型GaAsからなるキャップ層1が設けられており、p型クラッド層3、p型バンド不連続緩和層2およびp型キャップ層1には、Znより拡散性の低いp型不純物、例えば、Mgが添加され、p型バンド不連続緩和層2は、2.5×1018cm-3以上のp型不純物濃度を有する。【選択図】図1
其他摘要	本发明提供一种半导体激光装置，其即使在以低扩散添加p型层的情况下也能够抑制由于带的不连续性而导致的高输出且高效率的元件电阻或差分电阻元件的增加，以建立可选的器件特性，并提供其制造方法。解决方案：在半导体激光器件中，在由n型覆盖层5制成的衬底7上方形成分别由III-V族化合物半导体制成的n型覆盖层5，有源层4和p型覆盖层3型GaAs，并且由p型GaAs制成的覆盖层1在p型覆层3上形成有由III-V族化合物半导体制成的p型带不连续减轻层2。 p型覆盖层3，p型带不连续缓和层2和p型覆盖层1添加有比Zn更低扩散的p型杂质，例如p型覆盖层3。 Mg，p型带不连续缓和层2的p型杂质浓度为2.5×10 18 SP·cm -3 以上。 Ž
申请日期	2004-06-08
专利号	JP2005353654A
专利状态	失效
申请号	JP2004169781
公开（公告）号	JP2005353654A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/30 \| H01S5/343 \| H01S5/223
专利代理人	河宮治 \| 竹内三喜夫
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85330
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MITSUBISHI ELECTRIC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	小野健一,竹見政義. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP2005353654A[P]. 2005-12-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2005353654A.PDF（213KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文