Semiconductor laser and manufacturing method therefor

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	Semiconductor laser and manufacturing method therefor
其他题名	Semiconductor laser and manufacturing method therefor
	UCHIDA, SATOSHI
	2000-10-10
专利权人	ROHM CO., LTD.
公开日期	2000-10-10
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	Fabrication of a semiconductor laser having a double hetero junction structure including: an active layer; cladding layers including an upper layer and a lower layer, the cladding layers sandwiching the active layer; and a current blocking layer including a stripe recess for acting as a current passage. The current blocking layer is provided within at least one of the cladding layers. The current blocking layer includes a plurality of layers, at least one layer of the layers having a slit therein extending transversely to the stripe recess.
其他摘要	具有双异质结结构的半导体激光器的制造包括：有源层;包层包括上层和下层，包层夹住有源层;电流阻挡层包括用作电流通道的条形凹槽。电流阻挡层设置在至少一个包层内。电流阻挡层包括多个层，至少一层其中具有切口的层横向于条形凹槽延伸。
申请日期	1999-11-05
专利号	US6130108
专利状态	失效
申请号	US09/434934
公开（公告）号	US6130108
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/223 \| H01S5/22 \| H01L33/14 \| H01L33/30 \| H01L33/44 \| H01S5/065 \| H01S5/20 \| H01L21/00
专利代理人	-
代理机构	ARENT FOX KINTNER PLOTKIN & KAHN,PLLC
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85326
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ROHM CO., LTD.
推荐引用方式 GB/T 7714	UCHIDA, SATOSHI. Semiconductor laser and manufacturing method therefor. US6130108[P]. 2000-10-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US6130108.PDF（231KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文