Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Semiconductor laser and manufacturing method therefor | |
其他题名 | Semiconductor laser and manufacturing method therefor |
UCHIDA, SATOSHI | |
2000-10-10 | |
专利权人 | ROHM CO., LTD. |
公开日期 | 2000-10-10 |
授权国家 | 美国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | Fabrication of a semiconductor laser having a double hetero junction structure including: an active layer; cladding layers including an upper layer and a lower layer, the cladding layers sandwiching the active layer; and a current blocking layer including a stripe recess for acting as a current passage. The current blocking layer is provided within at least one of the cladding layers. The current blocking layer includes a plurality of layers, at least one layer of the layers having a slit therein extending transversely to the stripe recess. |
其他摘要 | 具有双异质结结构的半导体激光器的制造包括:有源层;包层包括上层和下层,包层夹住有源层;电流阻挡层包括用作电流通道的条形凹槽。电流阻挡层设置在至少一个包层内。电流阻挡层包括多个层,至少一层其中具有切口的层横向于条形凹槽延伸。 |
申请日期 | 1999-11-05 |
专利号 | US6130108 |
专利状态 | 失效 |
申请号 | US09/434934 |
公开(公告)号 | US6130108 |
IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/223 | H01S5/22 | H01L33/14 | H01L33/30 | H01L33/44 | H01S5/065 | H01S5/20 | H01L21/00 |
专利代理人 | - |
代理机构 | ARENT FOX KINTNER PLOTKIN & KAHN,PLLC |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85326 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | ROHM CO., LTD. |
推荐引用方式 GB/T 7714 | UCHIDA, SATOSHI. Semiconductor laser and manufacturing method therefor. US6130108[P]. 2000-10-10. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
US6130108.PDF(231KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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