Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 鴫原 君男; 池田 健志; 青柳 利隆; 永井 豊 | |
| 1996-03-27 | |
| 专利权人 | 三菱電機株式会社 |
| 公开日期 | 1996-03-27 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | PURPOSE:To obtain phase coincidence in an arbitrary wavelength and an arbitrary refractive index by forming a partial reflection,region of two layers including a front coating film, guiding phase coincidence condition in the arbitrary wavelength and the arbitrary refractive index of a substance for forming a partial reflection film, and forming it on the front edge face of a semiconductor laser. CONSTITUTION:A partial reflection region is formed of two layers of a front coating film 2 having a refractive index n2 capable of performing a low reflectivity, a film thickness h2 (=lambda0/4n2, lambda0 a wavelength in a free space) and a coating film 3 of a rear surface. High reflectivity is performed, and a partial reflection film 4a having a refractive index n3, a film thickness xlambda0 completely coincident with the phase of a light passing the periphery is formed on a semiconductor laser front edge face. |
| 其他摘要 | 目的：通过形成部分反射获得任意波长和任意折射率的相位重合，包括前涂膜的两层区域，任意波长的引导相位重合条件和形成物质的物质的任意折射率部分反射膜，并在半导体激光器的前边缘面上形成。组成：部分反射区域由两层前涂层薄膜2形成，前涂层薄膜2具有能够执行低反射率的折射率n2，薄膜厚度h2（=λ0/ 4n2，λ在自由空间中的波长）和涂层后表面的薄膜3。执行高反射率，并且在半导体激光器前边缘面上形成具有折射率n3，膜厚度xlambda0的部分反射膜4a，其与通过周边的光的相位完全一致。 |
| 申请日期 | 1990-02-28 |
| 专利号 | JP1996031663B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1990049947 |
| 公开（公告）号 | JP1996031663B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 早瀬 憲一 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85319 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鴫原 君男,池田 健志,青柳 利隆,等. 半導体レーザ. JP1996031663B2[P]. 1996-03-27. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1996031663B2.PDF（63KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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