Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor element | |
| 其他题名 | Semiconductor element |
| UENO YOSHIKI; KONAKANO SHINICHI; SOGA HAJIME; ITO NOBUE | |
| 1988-09-16 | |
| 专利权人 | NIPPON SOKEN INC |
| 公开日期 | 1988-09-16 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To improve the thermal characteristics of a semiconductor element, by forming a diamond film on the surface of a sub-mount, forming a single crystal film on said film, and growing a semiconductor epitaxial film on said film. CONSTITUTION:A diamond film 12 having a high heat conductivity is formed on an Si sub-mount. A single crystal film 13 is formed on the diamond film 12 by recrystallization. An N-type GaAs layer 41, an N-type AlxGa1-xAs clad layer 42, a GaAs active layer 43, a P-type AlxGa1-xAs clad layer 44, a P-type GaAs cap layer 45 and the like are provided on the crystal film 13. Then, heat yielded in a semiconductor element is transferred to the diamond film 12 through the single crystal film 13. Thus the thermal characteristics of the semiconductor element are improved. |
| 其他摘要 | 用途：为了改善半导体元件的热特性，通过在子底座的表面上形成金刚石膜，在所述膜上形成单晶膜，以及在所述膜上生长半导体外延膜。组成：在Si子安装座上形成具有高导热率的金刚石薄膜12。通过重结晶在金刚石膜12上形成单晶膜13。设置N型GaAs层41，N型Al x Ga 1-x As包层42，GaAs有源层43，P型Al x Ga 1-x As包层44，P型GaAs盖层45等。然后，在半导体元件中产生的热量通过单晶膜13转移到金刚石膜12上。因此改善了半导体元件的热特性。 |
| 申请日期 | 1987-03-11 |
| 专利号 | JP1988222419A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1987055577 |
| 公开（公告）号 | JP1988222419A |
| IPC 分类号 | H01L23/36 | H01L21/20 | H01L21/263 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85301 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON SOKEN INC |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | UENO YOSHIKI,KONAKANO SHINICHI,SOGA HAJIME,et al. Semiconductor element. JP1988222419A[P]. 1988-09-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1988222419A.PDF（190KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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