発光素子およびその製造方法

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	発光素子およびその製造方法
其他题名	発光素子およびその製造方法
	明利敏巳
	1998-10-02
专利权人	ユピテル工業株式会社
公开日期	1998-12-14
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To obtain a light emitting element structure which emits a laser beam efficiently and stably without an optical system by a method wherein a first clad layer, an active layer, and a second clad layer are provided to a semiconductor single crystal layer, and a stripe-like wavelength conversion section is provided close to the active layers. CONSTITUTION:An n-type clad layer 2 and an active layer 3 are laminated on an n-type substrate wafer 1, furthermore a p-type clad layer 4 is deposited thereon, and the face of the wafer 1 vertical to the layers is cleaved to form a light emitting structure of this design. When a forward current is made to flow between a p-side electrode 6 and an n-side electrode 5 of the semiconductor laser, the active layer 3 emits light rays of LED type wavelength spectrum. The light rays are mirror-reflected by opposed cleavage planes 9 to grow to be an LD-type wavelength spectrum intense only in resonance frequency. Here, to make the spectrum grow to be a super-luminescent type spectrum, the gap between an Nd doped region 7 and the layer 3 is made to have a length of the order of the emission wavelength, and the cleavage plane 9 is subjected to an AR coating treatment. By this setup, a stripe-like wavelength conversion layer 7 doped with trivalent rare earth ions is excited by light rays emitted from the active layer which have a required intensity in a specified wavelength region to obtain a laser output excellent in thermal stability.
其他摘要	目的：通过向半导体单晶层提供第一覆层，有源层和第二覆层的方法，获得在没有光学系统的情况下有效且稳定地发射激光束的发光元件结构，以及条纹状波长转换部分靠近有源层设置。组成：n型覆层2和有源层3层叠在n型衬底晶片1上，此外在其上沉积p型覆层4，晶片1垂直于这些层的面被切割形成这种设计的发光结构。当正向电流在半导体激光器的p侧电极6和n侧电极5之间流动时，有源层3发射LED型波长光谱的光线。光线被相对的解理面9镜面反射，生长为仅在谐振频率上强烈的LD型波长谱。这里，为了使光谱生长为超发光型光谱，使Nd掺杂区域7和层3之间的间隙具有发射波长量级的长度，并且使解理面9经受AR涂层处理。通过这种设置，掺杂有三价稀土离子的条状波长转换层7被从有源层发射的光线激发，该光线在特定波长区域中具有所需的强度，以获得热量优异的激光输出。稳定性。
申请日期	1989-02-09
专利号	JP2834757B2
专利状态	失效
申请号	JP1989028737
公开（公告）号	JP2834757B2
IPC 分类号	H01S \| H01S3/0933 \| H01S3/16 \| H01S3/094 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	松井伸一
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85227
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ユピテル工業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	明利敏巳. 発光素子およびその製造方法. JP2834757B2[P]. 1998-10-02.

条目包含的文件
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JP2834757B2.PDF（41KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文