Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| リッジ型分布帰還半導体レーザ | |
| 其他题名 | リッジ型分布帰還半導体レーザ |
| ▼たか▲木 和久; 白井 聡; 青柳 利隆; 立岡 靖晃; 綿谷 力; 花巻 吉彦 | |
| 2005-06-23 | |
| 专利权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 公开日期 | 2005-06-23 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 レーザ発振の閾値電流が低く、発光効率の大きいリッジ型分布帰還半導体レーザを提供する。 【解決手段】 n-InP基板101の上方に形成されたn-InGaAsP回折格子層112と、この回折格子層112の上方に形成されたAlGaInAs-MQW活性層103と、この活性層103の上に形成され、p-InPクラッド層106およびp-InGaAsコンタクト層108を備えたリッジ部114とを有する。ここで、回折格子層112のバンドギャップエネルギーに相当する波長λgとレーザ光の発振波長λとは、λ-150nm<λg<λ+100nmの関係を満たす。 【選択図】図1 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供具有低激光振荡阈值电流和大发光效率的脊型分布反馈半导体激光器。ΣSOLUTION：激光器具有形成在n-InP衬底101上方的n-InGaAsP光栅层112，形成在光栅层112上方的AlGaInAs-MQW有源层103，以及形成在有源层103上方的脊114和具有p-InP包层106和p-InGaAs接触层108.相当于光栅层112的带隙能量的波长λg和激光束的振荡波长λ满足λ-150nm <λg<λ的关系+ 100纳米。Ž |
| 申请日期 | 2003-12-03 |
| 专利号 | JP2005166998A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2003404391 |
| 公开（公告）号 | JP2005166998A |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/12 | H01S5/00 | H01S5/10 | H01S3/08 | H01S5/22 |
| 专利代理人 | 高田 守 | 高橋 英樹 | 大阿久 敦子 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85195 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ▼たか▲木 和久,白井 聡,青柳 利隆,等. リッジ型分布帰還半導体レーザ. JP2005166998A[P]. 2005-06-23. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2005166998A.PDF（154KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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