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OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

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其他题名	-
	UCHAMA SEIJI; KINOSHITA SUSUMU; IGA KENICHI
	1993-08-31
专利权人	TOKYO KOGYO DAIGAKUCHO
公开日期	1993-08-31
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To reduce operating current density while generating uniformly distributed laser beams by forming a resonator in the direction vertical to a p-n junction, shaping a semiconductor region on the side of the resonator and forming a current path. CONSTITUTION:The circular mesas of a p-n junction composed of an n-type GaAlAs clad layer 11 and a p-type GaAs active layer 12 is formed, and reflecting mirrors 20, 21 are shaped. A p-type GaAlAs layer 14 is buried and grown in the peripheries of the reflecting mirrors. One part of the layer 14 is removed, and an n-type GaAlAs layer 17 is formed. Diffusion potential between the layers 11, 12 is set so as to be made smaller than that between the layers 11, 14 in the constitution. When positive polar voltage is applied to an electrode 19 and forward currents are fed, electrons as minority carriers are injected into the layer 12 through an electrode 18 and the layers 17, 11, 12 and each p-n junction, energy is distributed uniformly, and laser beams having a circular cross section are emitted.
其他摘要	目的：通过在垂直于p-n结的方向上形成谐振器，在产生均匀分布的激光束的同时降低工作电流密度，在谐振器侧形成半导体区域并形成电流路径。组成：形成由n型GaAlAs包层11和p型GaAs有源层12组成的p-n结的圆形台面，并且反射镜20,21成形。在反射镜的周围埋入并生长p型GaAlAs层14。去除层14的一部分，并形成n型GaAlAs层17。层11,12之间的扩散电位设定为比构造中的层11,14之间的扩散电位小。当向电极19施加正极性电压并馈送正向电流时，作为少数载流子的电子通过电极18和层17,11,12和每个pn结注入到层12中，能量均匀分布，并且激光发射具有圆形横截面的梁。
申请日期	1990-09-28
专利号	JP1993059596B2
专利状态	失效
申请号	JP1990257183
公开（公告）号	JP1993059596B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/00 \| H01S5/183 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85176
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	TOKYO KOGYO DAIGAKUCHO
推荐引用方式 GB/T 7714	UCHAMA SEIJI,KINOSHITA SUSUMU,IGA KENICHI. -. JP1993059596B2[P]. 1993-08-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1993059596B2.PDF（372KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文