半導体レ-ザ

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	半導体レ-ザ
其他题名	半導体レ-ザ
	本多正治; 浜田弘喜
	1995-11-13
专利权人	三洋電機株式会社
公开日期	1995-11-13
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To improve a coating layer in strength and membranous property by a method wherein a coating layer provided on the edge of a cavity of a semiconductor laser is so structured as to be a body laminated alternately with a highly refractive film and a low refractive film which are both made of the same basic material. CONSTITUTION:A semiconductor laser is component of a laser main body 1 and coating layers 2 and 3 provided at a pair of resonator edges of the main body The layer 2 is a laminated body consisting of a first, a second, and third layer, F1, F2 and F3 and has a low reflectivity required for a laser rays extracting side. On the other hand, the layer 3 is a laminated body consisting of a frist,- and an eighth layer, F1,- and F8 and high in reflectivity. In the disposition of these films, odd-numbered films F1, F3,. and even-numbered films F2, F4,. are composed of a highly refractive film and a low refractive film respectively which are both made of the same basic material. By these process, adhesion between films is improved in strength and consequently a coating layer is also increased in strength.
其他摘要	用途：通过一种方法改善涂层的强度和膜性能，其中设置在半导体激光器腔体边缘上的涂层构造成与高折射膜和低折射膜交替层叠的体它们都由相同的基本材料制成。组成：半导体激光器是激光器主体1的组件，涂层2和3设置在主体1的一对谐振器边缘。层2是由第一，第二和第三层组成的层叠体，F1，F2和F3，并且具有激光射线提取侧所需的低反射率。另一方面，层3是由第一层和第八层F1， - 和F8组成的层叠体，反射率高。在这些薄膜的配置中，奇数薄膜F1，F3，..和偶数薄膜F2，F4，..分别由高折射薄膜和低折射薄膜组成，它们都由相同的薄膜制成。基本材料。通过这些方法，膜之间的粘合性得到改善，因此涂层的强度也增加。
申请日期	1987-03-19
专利号	JP1995105558B2
专利状态	失效
申请号	JP1987064732
公开（公告）号	JP1995105558B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/028 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	安富耕二 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85116
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三洋電機株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	本多正治,浜田弘喜. 半導体レ-ザ. JP1995105558B2[P]. 1995-11-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1995105558B2.PDF（25KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文