半導体ガイド層の突き合わせ接合方法

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	半導体ガイド層の突き合わせ接合方法
其他题名	半導体ガイド層の突き合わせ接合方法
	東盛裕一; 山本 ▲ミツ▼夫
	1993-10-08
专利权人	日本電信電話株式会社
公开日期	1993-10-08
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】異なる組成や異なる層構造の半導体導波路同士の突き合わせ接合において、導波路層間の光学的軸を一致させその結合効率向上させることのできる突き合わせ接合方法を提供すること。【構成】上記目的は、下記工程からなる接合方法とすることによって達成することができる。(1) 半導体基板上の第1の半導体導波路層上に形成した所定領域に設けた絶縁層をマスクとして上記第1の半導体導波路層を選択的にエッチングして半導体基板表面まで取り除き、上記第1の半導体導波路層がエッチングで生じた壁面から内側に入り込んだ形状を形成する工程、(2) 上記工程により得られた基板を硫化アンモニウムを含む (NH4)2SX水溶液中に所定時間浸漬する工程、(3) 次いで、上記第1の半導体導波路層とは異なるバンドギャップ波長あるいは異なる層厚を有する1層または複数層の半導体導波路層を上記第1の半導体導波路層と光学的に軸を一致させて気相エピタキシャル成長法により接合させる工程。
其他摘要	目的：通过一种方法，使光轴与每个光轴一致，通过一种方法，当通过蚀刻去除第一半导体波导层时，从壁表面向内部凹陷的形状进行硫化铵处理，和第二半导体波导层晶体生长，直到通过蚀刻凹陷的区域。组成：当通过蚀刻消除第一半导体波导层2时，可能在表面上产生应变。当在蚀刻之后通过气相外延生长一个或多个厚度和组成不同的第二半导体波导层4时，表面上的应变6抑制了原子在生长期间的迁移。因此，抑制了蚀刻粘合表面附近的生长，并且引导层发生不会长到指定的厚度。通过在刚蚀刻后将表面浸渍在含有硫化铵的（NH 4）2 Sx水溶液中，消除表面上的原子层次的应变，并形成新生长的第二半导体波导层4。
申请日期	1992-03-13
专利号	JP1993259568A
专利状态	失效
申请号	JP1992054617
公开（公告）号	JP1993259568A
IPC 分类号	G02F1/025 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	中村純之助
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85097
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電信電話株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	東盛裕一,山本 ▲ミツ▼夫. 半導体ガイド層の突き合わせ接合方法. JP1993259568A[P]. 1993-10-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1993259568A.PDF（28KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文