Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 量子井戸結晶体および半導体レーザ | |
| 其他题名 | 量子井戸結晶体および半導体レーザ |
| 大塚 信之; 鬼頭 雅弘; 冨士原 潔; 石野 正人; 松井 康 | |
| 1997-11-18 | |
| 专利权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 公开日期 | 1997-11-18 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 2.0μmの波長で発振する半導体レーザを提供する。 【解決手段】 InP基板1上に、InPクラッド層1aを形成し、さらにこの上に成長した7層のInGaAs歪量子井戸層4およびInGaAs障壁層5、さらにInPクラッド層7を形成している。井戸層の組成波長λgは2.2μmであり、障壁層は、InPクラッド層、InP基板に格子整合しており、組成波長λg=67μmである。井戸層には 歪量3%の圧縮歪みが導入され、障壁層には歪みは導入されていない。この量子井戸結晶体からのフォトルミネッセンス発光波長は、2.0μmであった。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供波长为2.0微米的半导体激光器振荡。解决方案：在InP衬底1上形成InP包覆层1a，并且形成由在层1a上生长的七层构成的InGaAs应变量子阱层4，InGaAs阻挡层4和InP包覆层7。量子阱层的组成波长λ和λg为2.2μm，阻挡层与InP包层和InP基板晶格匹配，组成波长λg=67μm。在量子阱层中引入应变量为3％的压缩应变，并且在阻挡层中不引入应变。来自量子阱结晶体的光致发光波长为2.0μm。 |
| 申请日期 | 1996-05-09 |
| 专利号 | JP1997298338A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996114529 |
| 公开（公告）号 | JP1997298338A |
| IPC 分类号 | H01L21/205 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 滝本 智之 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85049 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大塚 信之,鬼頭 雅弘,冨士原 潔,等. 量子井戸結晶体および半導体レーザ. JP1997298338A[P]. 1997-11-18. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1997298338A.PDF（84KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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