Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 秋本 克洋; 奥山 浩之 | |
| 1999-09-24 | |
| 专利权人 | ソニー株式会社 |
| 公开日期 | 1999-11-22 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | PURPOSE:To constitute a double hetero junction semiconductor laser having stabilized characteristics. CONSTITUTION:In a semiconductor laser in which at least a first clad layer 2, an active region 3, and a second clad layer 4 are epitaxially deposited on a GaAs substrate or GaP substrate 1, p-type clad layers are formed of II-VI compound semiconductor containing Bc. |
| 其他摘要 | 用途：构成具有稳定特性的双异质结半导体激光器。组成：在半导体激光器中，至少第一覆层2，有源区3和第二覆层4外延沉积在GaAs衬底或GaP衬底1上，p型覆层由II-VI形成含有Bc的化合物半导体。 |
| 申请日期 | 1991-03-18 |
| 专利号 | JP2982340B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991052553 |
| 公开（公告）号 | JP2982340B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/327 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 松隈 秀盛 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85048 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 秋本 克洋,奥山 浩之. 半導体レーザ. JP2982340B2[P]. 1999-09-24. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2982340B2.PDF（19KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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