Semiconductor laser with a lattice structure

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	Semiconductor laser with a lattice structure
其他题名	Semiconductor laser with a lattice structure
	FORCHEL, ALFRED; KAMP, MARTIN
	2003-12-30
专利权人	FORCHEL ALFRED
公开日期	2003-12-30
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A semiconductor laser (22) with a semiconductor substrate (11), a laser layer (13) arranged on the semiconductor substrate, a waveguide ridge (15) arranged at a distance from the laser layer, and a strip-shaped lattice structure (23) arranged in parallel to the laser layer is disclosed. The lattice structure (23) includes two structural regions (24, 25) which are arranged on both sides of the waveguide ridge (15) and are formed at a distance from the laser layer (13) above the laser layer (13). A process for the production of such a semiconductor laser is also disclosed.
其他摘要	具有半导体衬底（11）的半导体激光器（22），布置在半导体衬底上的激光层（13），布置在距激光层一定距离处的波导脊（15），以及条形网格结构（23）公开了与激光层平行布置的。晶格结构（23）包括两个结构区域（24,25），它们布置在波导脊（15）的两侧，并且形成在距激光层（13）上方的激光层（13）一定距离处。还公开了一种制造这种半导体激光器的方法。
申请日期	1999-04-21
专利号	US6671306
专利状态	失效
申请号	US09/296059
公开（公告）号	US6671306
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/12 \| H01S5/22
专利代理人	-
代理机构	MCGLEW AND TUTTLE, P.C.
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85024
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FORCHEL ALFRED
推荐引用方式 GB/T 7714	FORCHEL, ALFRED,KAMP, MARTIN. Semiconductor laser with a lattice structure. US6671306[P]. 2003-12-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US6671306.PDF（150KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文