Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
半導体レ—ザ | |
其他题名 | 半導体レ—ザ |
五明 明子 | |
1996-06-14 | |
专利权人 | 日本電気株式会社 |
公开日期 | 1996-08-21 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | PURPOSE:To prevent deterioration of end faces due to light absorption and damage thereof and thereby to attain high reliability and high output by a method wherein the end faces in the opposite ends of an active layer formed on a (001) plane are covered with a crystal in the same composition with the active layer by growth onto a plane equivalent to a (110) plane. CONSTITUTION:An n-type (Al0.4Ga0.6)0.5In0.5P clad layer 2, a Ga0.5In0.5P active layer 3, a p-type (Al0.4Ga0.6)0.5In0.5P clad layer 4 and a P type GaAs cap layer 5 are made to grow sequentially on a GaAs substrate 1 on a (001) plane. Thereafter a p-type electrode 6 is formed on the GaAs contact layer 5 and an n-type electrode 7 on the substrate 1 side. Cleavage is made so that the total length of a resonator be a prescribed length, and a Ga0.5In0.5P layer 8 is made to grow on a (110) plane of a cleavage plane or on a (-110) plane so that it covers the active layer 3 at least. This plane of growth is made to be an emission end face 9 of a semiconductor laser light. A semiconductor laser thus obtained is improved in reliability by reduction of deterioration of the end face, while optical breakdown of the end face is prevented, and thus a maximum light output can be improved. |
其他摘要 | 用途:为了防止由于光吸收和损坏引起的端面劣化,从而通过一种方法获得高可靠性和高输出,其中在(001)面上形成的有源层的相对端的端面被覆盖有通过在相当于(110)面的平面上生长,与活性层具有相同组成的晶体。组成:n型(Al0.4Ga0.6)0.5In0.5P包层2,Ga0.5In0.5P有源层3,p型(Al0.4Ga0.6)0.5In0.5P包层4和使P +型GaAs盖层5在(001)面上的GaAs衬底1上依次生长。之后,在GaAs接触层5和基板1侧的n型电极7上形成p型电极6。进行切割使得谐振器的总长度为规定长度,并使Ga0.5In0.5P层8在解理面的(110)面上或(-110)面上生长,使得它至少覆盖有源层3。该生长平面是半导体激光的发射端面9。这样获得的半导体激光器通过减小端面的劣化而提高了可靠性,同时防止了端面的光学击穿,因此可以提高最大光输出。 |
申请日期 | 1989-02-13 |
专利号 | JP2527024B2 |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1989034025 |
公开(公告)号 | JP2527024B2 |
IPC 分类号 | H01S | H01S5/00 | H01S5/028 | H01S3/18 |
专利代理人 | 京本 直樹 (外2名) |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85023 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 日本電気株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 五明 明子. 半導体レ—ザ. JP2527024B2[P]. 1996-06-14. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP2527024B2.PDF(21KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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