Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser element | |
| 其他题名 | Semiconductor laser element |
| MURATA KAZUHISA; YAMAMOTO SABUROU; HAYASHI HIROSHI; TAKENAKA TAKUO | |
| 1982-11-12 | |
| 专利权人 | SHARP KK |
| 公开日期 | 1982-11-12 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To lengthen operating life time, by epitaxial growing an active layer constituted of GaAlAs. CONSTITUTION:After a current preventing layer 2 groove 9 and clad layer 3 are formed on a P type GaAs substrate 1, the active layer 4 constituted of GaAlAs without P type, N type or conductive tyue is epitaxial grown with a layer thickness of approx. 0.1mum with the rest processes performed as conventional. Thus, the mixed crystal ratio of the clad layers 3, 5 is set higher than that of the active layer 4 to confine carrier into the active layer 4 on the hetero junction interface thereof. |
| 其他摘要 | 用途：通过外延生长由GaAlAs构成的有源层来延长工作寿命。组成：在P型GaAs衬底1上形成电流防止层2凹槽9和包层3后，由没有P型，N型或导电性的GaAlAs构成的有源层4外延生长，其层厚度约为10μm。 0.1mum，其余过程按常规方式进行。因此，包层3,5的混晶比设定得高于有源层4的混晶比，以将载流子限制在其异质结界面上的有源层4中。 |
| 申请日期 | 1981-05-08 |
| 专利号 | JP1982184278A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1981070285 |
| 公开（公告）号 | JP1982184278A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/223 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84975 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | MURATA KAZUHISA,YAMAMOTO SABUROU,HAYASHI HIROSHI,et al. Semiconductor laser element. JP1982184278A[P]. 1982-11-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1982184278A.PDF（101KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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