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Optical integrated element
其他题名Optical integrated element
MURATA SHIGERU; KATOU YOSHITAKE
1988-12-20
专利权人NEC CORP
公开日期1988-12-20
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要PURPOSE:To improve a coupling efficiency between a distributed feedback laser and an optical element and provide sufficient electrical isolation by a method wherein the coupling part and the channel part of the distributed feedback laser are filled with high resistance semiconductor which is transparent at the oscillation frequency of the laser. CONSTITUTION:The channel part 140 and the coupling part 120 of a distributed feedback laser (DFB laser) 110 are filled with high resistance semiconductor 107 and a light guide layer 102 is formed over a whole device. The high resistance semiconductor 107 has the same composition as the cladding layer 105 (but a higher resistivity than the cladding layer 105) and hence is transparent for a laser beam and the laser beam is scattered very little in the coupling part 120 and sufficient electrical isolation can be provided. Moreover, as the channel part 140 of the DFB laser 110 is also filled with the high resistance semiconductor 107, a lateral mode can be stabilized and a current can be suppressed to a low level so that the laser with a low threshold and a high efficiency can be obtained. It is to be noted that the DFB laser 110 has a so- called strip buried hetero structure (SBH structure).
其他摘要目的:提高分布式反馈激光器与光学元件之间的耦合效率,并通过一种方法提供足够的电隔离,其中分布式反馈激光器的耦合部分和沟道部分填充有高频半导体,该半导体在振荡频率下是透明的激光组成:分布式反馈激光器(DFB激光器)110的通道部分140和耦合部分120填充有高阻半导体107,并且在整个器件上形成光导层102。高电阻半导体107具有与包层105相同的组成(但是电阻率高于包层105),因此对于激光束是透明的,并且激光束在耦合部分120中非常少地散射并且具有足够的电隔离可以提供。此外,由于DFB激光器110的沟道部分140也填充有高电阻半导体107,因此可以稳定横向模式并且可以将电流抑制到低水平,使得具有低阈值和高效率的激光器可以获得。应注意,DFB激光器110具有所谓的条带掩埋异质结构(SBH结构)。
申请日期1987-06-12
专利号JP1988311786A
专利状态失效
申请号JP1987147680
公开(公告)号JP1988311786A
IPC 分类号H01S5/00 | H01S5/026 | H01S3/18
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84952
专题半导体激光器专利数据库
作者单位NEC CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
MURATA SHIGERU,KATOU YOSHITAKE. Optical integrated element. JP1988311786A[P]. 1988-12-20.
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