半導体レーザおよびその製造方法

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	半導体レーザおよびその製造方法
其他题名	半導体レーザおよびその製造方法
	冨士原潔; 石野正人; 松井康
	1993-04-30
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期	1993-04-30
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】埋め込み型半導体レーザの製造において、あらかじめ基板側にコンタクト層を形成しておくことにより、ストレスを加えることなしにウェハー加工を可能とし、信頼性の高いチップを得ることを目的とする。【構成】 n-InP基板1上にn-InGaAsPコンタクト層14、n-InPバッファ層2を積層させ、さらにInGaAsP活性層3、p-InPクラッド層4を積層させた半導体多層膜構造ウエハーにおいて、エッチングによりメサストライプを形成した後、埋め込みエピタキシャル成長を行い、メサストライプ6以外の領域にp-InP電流ブロック層7、n-InP電流ブロック層8を成長させた後、さらにp-InP埋め込み層9、p-InGaAsPコンタクト層10を順次成長させ、埋め込み型へテロ構造を形成する。次に、p-InGaAsPコンタクト層10上にp型電極12を形成後、n-InP基板1を塩酸系溶液のエッチングで除去し、さらにBr-メタノール液でn-InGaAsPコンタクト層14をエッチングした後、n型電極13を形成する。以上の製造方法により、ストレスを加えることなく、所望の厚みのウェハーを得ることができる。
其他摘要	为了制造嵌入式半导体激光器，目的是通过预先在基板侧形成接触层来获得高度可靠的芯片，从而能够在不施加应力的情况下进行晶片处理。 [配置]在n-InP基片1通过层叠正的InGaAsP接触层14，正的InP缓冲层2，在半导体多层膜结构晶片进一步层叠的InGaAsP有源层3，p型InP覆盖层4，通过蚀刻形成台面条后，进行埋入外延生长中，p的InP电流阻挡层7之后，正的InP该区域电流阻挡层8比台面条纹6以外生长和p的InP埋层9，并且连续生长p-InGaAsP接触层10以形成掩埋型异质结构。然后，和p-InGaAsP接触层10上形成p型电极12之后，正InP衬底1是通过在盐酸溶液进行蚀刻，除了BR-甲醇溶液蚀刻n的InGaAsP接触层14之后，去除，形成n型电极13。通过上述制造方法，可以在不施加应力的情况下获得具有期望厚度的晶片。
申请日期	1991-10-15
专利号	JP1993110189A
专利状态	失效
申请号	JP1991265882
公开（公告）号	JP1993110189A
IPC 分类号	H01S5/042 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	小鍜治明 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84940
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	冨士原潔,石野正人,松井康. 半導体レーザおよびその製造方法. JP1993110189A[P]. 1993-04-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1993110189A.PDF（61KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文