Optical integrated circuit

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	Optical integrated circuit
其他题名	Optical integrated circuit
	OKUDA HIROSHI; MATSUOKA HARUJI; OKAMOTO KENJI
	1985-09-10
专利权人	SUMITOMO DENKI KOGYO KK
公开日期	1985-09-10
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To change over a main semiconductor laser to a spare semiconductor laser in a very short time by integrating a Y branch element for introducing the main laser, the spare laser and output beams to one optical guide on the same semiconductor substrate. CONSTITUTION:A p-InP clad layer 2, an InGaAsP active layer 3, an n-InP clad layer 4 and a p-InGaAsP layer 5 are grown in a groove in a semi-insulating InP substrate A Y branched waveguide and an FET gate section are processed through photolithography. A grating 8 for Bragg reflection is formed to one part of the clad layer 4. Photodiodes 6, 7 use the layer 5 as the anode side and the layer 4 as the cathode side, and detect the intensity of beams projected to a p-n junction surface. Laser diodes (LD)10, 11 are constituted by the clad layer 4, the active layer 3, the clad layer 2, gratings 8, 9 and cleavage planes 12. One side of a resonator is formed in the cleavage plane 12, and laser beams are projected to a collective waveguide 17 from the Y type branch line 14. FETs 18, 19 modulate and drive the LDs 10, 1
其他摘要	目的：通过将用于引入主激光器的Y分支元件，备用激光器和输出光束集成到同一半导体基板上的一个光导上，在很短的时间内将主半导体激光器转换为备用半导体激光器。组成：p-InP包层2，InGaAsP有源层3，n-InP包层4和p-InGaAsP层5生长在半绝缘InP衬底1的凹槽中.AY分支波导和FET栅极部分通过光刻处理。用于布拉格反射的光栅8形成在包层4的一部分上。光电二极管6,7使用层5作为阳极侧而层4作为阴极侧，并检测投射到pn结表面的光束的强度。。激光二极管（LD）10,11由包层4，有源层3，包层2，光栅8,9和解理面12构成。谐振腔的一侧形成在解理面12和激光器中。光束从Y型支线14投射到集合波导17. FET 18,19调制并驱动LD 10,11。
申请日期	1984-02-22
专利号	JP1985176289A
专利状态	失效
申请号	JP1984032186
公开（公告）号	JP1985176289A
IPC 分类号	G02B6/122 \| G02B6/12 \| H01L27/15 \| H01S3/10 \| H01S5/00 \| H01S5/026 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84938
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SUMITOMO DENKI KOGYO KK
推荐引用方式 GB/T 7714	OKUDA HIROSHI,MATSUOKA HARUJI,OKAMOTO KENJI. Optical integrated circuit. JP1985176289A[P]. 1985-09-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1985176289A.PDF（334KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文