半導体装置

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	半導体装置
其他题名	半導体装置
	中井建弥
	1995-12-18
专利权人	富士通株式会社
公开日期	1995-12-18
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To readily integrated OEIC by forming a reverse mesa groove which extends toward the interior from the surface in sectional shape on a substrate, burying a semiconductor layer having high impurity density in the substance in the groove, and growing a crystal on the layer to complete the current narrowing of a laser. CONSTITUTION:With an SiO2 layer opened in a stripe shape by a photoprocess as a mask a reverse mesa groove 2 is formed by etching on an ion-doped SI-InP substrate Then, N type InP layer 3 of 2-3X10cm of carrier density is buried by a CVD method. The SiO2 layer on the substrate is removed, and an InGaAsP layer 4 of active layer, a P-type InP layer 5 of P-type clad layer and an N-type InP layer 6 of N-type clad layer are sequentially grown. Then, HR-InP layer 8 are grown at both sides of a laser active unit, P type diffused regions 7, electrode 8 are formed, unnecessary portion of a grown layer is mesa etched to be removed. Thus, the depth of the groove 2 is increased, the back surface of the substrate is polished to exposed the buried N type InP layer 3, and an N-type side electrode is formed. Thus, a structure with complete current narrowing is obtained.
其他摘要	目的：通过在基板上形成从表面以截面形状向内部延伸的反向台面凹槽，在凹槽中的物质中掩埋具有高杂质密度的半导体层，并在层上生长晶体，从而容易地集成OEIC完成当前缩小的激光。组成：通过光学过程作为掩模以条形形状打开SiO2层，通过在离子掺杂的SI-InP衬底1上蚀刻形成反向台面凹槽2.然后，2 +的N +型InP层3通过CVD方法掩埋3×10 18 cm -3的载流子密度。去除衬底上的SiO2层，依次生长有源层的InGaAsP层4，P型覆层的P型InP层5和N型覆层的N型InP层6。然后，在激光有源单元的两侧生长HR-InP层8，形成P +型扩散区7，电极8，对生长层的不需要部分进行台面蚀刻以除去。因此，沟槽2的深度增加，基板的背面被抛光以暴露掩埋的N +型InP层3，并形成N型侧电极。因此，获得了具有完全电流变窄的结构。
申请日期	1985-11-15
专利号	JP1995118561B2
专利状态	失效
申请号	JP1985255942
公开（公告）号	JP1995118561B2
IPC 分类号	H01L27/15 \| H01S \| H01L \| H01S5/00 \| H01S5/026 \| H01S3/18
专利代理人	井桁貞一
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84841
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	富士通株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	中井建弥. 半導体装置. JP1995118561B2[P]. 1995-12-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1987115885A.PDF（187KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文