Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光装置 | |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| パーブルップ·ピーター; 石川 正行; 西川 幸江; ジョン·レニー; 波多腰 玄一 | |
| 1996-04-02 | |
| 专利权人 | TOSHIBA CORP |
| 公开日期 | 1996-04-02 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 II-VI属化合物半導体系の半導体発光素子の発熱を抑制すること。 【構成】n型GaAs基板2上に設けられたZnx Cd1-x Se活性層6と、この活性層6上に設けられ、中央に開口部を有するn型CdZnMgSe電流狭窄層10と、この電流狭窄層10の上面に設けられたp型ZnSx Te1-x 電流狭窄保護層11と、電流狭窄層10の開口部を充填し、かつ電流狭窄保護層11の全面を覆う表面が平坦なp型ZnSe過成長層12、ZnSe/ZnTe超格子層13と、この超格子層13に設けられたp側電極14と、n型GaAs基板2に設けられたn側電極1とを備えている。 |
| 其他摘要 | [目的]抑制II-VI族化合物半导体的半导体发光元件的发热。 有源层设置在n型GaAs衬底上，并形成在有源层上，并具有Zn x Cd 1-x 设置在电流限制层10的上表面上的p型ZnS x Te 1-x 电流限制保护层，和具有开口的n型CdZnMgSe电流限制层10，如图11所示，p型ZnSe过度生长层12，填充电流限制层10的开口并覆盖电流限制保护层11的整个表面和平坦表面的ZnSe / ZnTe超晶格层13，以及超晶格层13设置在n型GaAs基板2上的p侧电极14和设置在n型GaAs基板2上的n侧电极1。 |
| 申请日期 | 1994-09-17 |
| 专利号 | JP1996088405A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994248461 |
| 公开（公告）号 | JP1996088405A |
| IPC 分类号 | G01R31/28 | H01L27/04 | H01L21/66 | H01L33/06 | H01L21/822 | H01L33/30 | H01L33/14 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01L33/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 鈴江 武彦 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84811 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | パーブルップ·ピーター,石川 正行,西川 幸江,等. 半導体発光装置. JP1996088405A[P]. 1996-04-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1996088405A.PDF（56KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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