Structure and method for asymmetric waveguide nitride laser diode

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	Structure and method for asymmetric waveguide nitride laser diode
其他题名	Structure and method for asymmetric waveguide nitride laser diode
	VAN DE WALLE, CHRISTIAN G.; BOUR, DAVID P.; KNEISSL, MICHAEL A.; ROMANO, LINDA T.
	2002-08-06
专利权人	XEROX CORPORATION
公开日期	2002-08-06
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A structure and method for an asymmetric waveguide nitride laser diode without need of a p-type waveguide is disclosed. The need for a high aluminum tunnel barrier layer in the laser is avoided.
其他摘要	公开了一种不需要p型波导的非对称波导氮化物激光二极管的结构和方法。避免了在激光器中需要高铝隧道阻挡层。
申请日期	1999-04-09
专利号	US6430202
专利状态	失效
申请号	US09/288879
公开（公告）号	US6430202
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/00 \| H01S5/30 \| H01S5/20
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84801
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	XEROX CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	VAN DE WALLE, CHRISTIAN G.,BOUR, DAVID P.,KNEISSL, MICHAEL A.,et al. Structure and method for asymmetric waveguide nitride laser diode. US6430202[P]. 2002-08-06.