Groove structure semiconductor device

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	Groove structure semiconductor device
其他题名	Groove structure semiconductor device
	TANAKA AKIRA
	1990-09-20
专利权人	TOSHIBA CORP
公开日期	1990-09-20
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To eliminate reduction in current constriction effect in a reverse junction and achieve a groove-structure semiconductor laser device by using a p-type semiconductor layer formed on the surface of a stripe-shaped groove and then by separating an n-type clad layer and an n-type InP current prevention layer. CONSTITUTION:An n-type InP current-blocking layer 2 and a p-type InP layer 3 are laminated on a P-type InP substrate 1 and then a stripe-shaped V groove 4 is formed so that it may reach the substrate 1 by etching. After that, a p-type InP layer 10 is allowed to grow over the entire surface, a p-type InP clad layer 5, an InGaAsP active layer 6, an n-type InP clad layer 7 are laminated with in a groove 4 and the active layer 6 is filled into the groove 4. Also, an n-side electrode 8 is attached to an n-type InP clad layer 7 and a p-side electrode 9 is attached to the rear of the p-type InP substrate Thus, current constriction can be performed efficiently regardless of the position of the active layer 6, a low-threshold current can be achieved easily, and then a groove-structure semiconductor laser device with improved productivity can be obtained.
其他摘要	目的：通过在条形沟槽表面形成p型半导体层，然后分离n型覆层，消除反向结中电流收缩效应的减少，并实现沟槽结构半导体激光器件和n型InP电流防护层。组成：在P型InP衬底1上层压n型InP电流阻挡层2和p型InP层3，然后形成条形V沟槽4，使其可以通过以下方式到达衬底1：蚀刻。之后，允许p型InP层10在整个表面上生长，在沟槽4中层叠p型InP包层5，InGaAsP有源层6，n型InP包层7。有源层6填充到沟槽4中。另外，n侧电极8连接到n型InP包层7，p侧电极9连接到p型InP衬底1的后部。因此，无论有源层6的位置如何，都可以有效地进行电流收缩，可以容易地实现低阈值电流，然后可以获得具有提高的生产率的槽结构半导体激光器件。
申请日期	1989-03-13
专利号	JP1990238687A
专利状态	失效
申请号	JP1989057824
公开（公告）号	JP1990238687A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/223 \| H01S5/24 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84753
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	TOSHIBA CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	TANAKA AKIRA. Groove structure semiconductor device. JP1990238687A[P]. 1990-09-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1990238687A.PDF（129KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文