Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光装置とその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体発光装置とその製造方法 |
| 玉村 好司; 小沢 正文 | |
| 1997-09-19 | |
| 专利权人 | SONY CORP |
| 公开日期 | 1997-09-19 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 電流狭窄層に開口を形成する工程の介入による半導体層間の界面の結晶性の低下を回避し、発光特性の向上、長寿命化をはかる。 【解決手段】 基板1上に、少なくとも第1導電型のクラッド層5と、活性層7と、第2導電型のクラッド層9と、電流通路を挟んでその両側に配置される電流狭窄層10との各化合物半導体層を有してなる半導体発光装置において、その電流狭窄層10が、互いに組成を異にする下地化合物半導体薄膜層11とこれの上に形成された主たる電流狭窄層を構成する上層化合物半導体層12とよりなる構成とする。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过避免由于插入通过电流限制层形成开口的步骤引起的半导体层之间的界面的结晶度的劣化来改善发射特性并延长寿命。解决方案：该器件包括第一导电类型的包层5，有源层7，第二导电类型的包层9和设置在电流通道两侧的电流限制层10，每个都由compd制成。半导体。层10是基础compd。半导体薄膜层11和上部化合物。形成在具有不同组分的层11上的半导体层12。从层12形成主电流收缩层。 |
| 申请日期 | 1996-03-01 |
| 专利号 | JP1997246655A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996045048 |
| 公开（公告）号 | JP1997246655A |
| IPC 分类号 | H01L33/06 | H01L33/30 | H01L33/14 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 松隈 秀盛 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84747 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 玉村 好司,小沢 正文. 半導体発光装置とその製造方法. JP1997246655A[P]. 1997-09-19. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1997246655A.PDF（35KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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