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半導体レーザ素子及びその製造方法
其他题名半導体レーザ素子及びその製造方法
須山 尚宏; 近藤 雅文; 佐々木 和明; 細田 昌宏; 高橋 向星; 早川 利郎
1994-07-27
专利权人シャープ株式会社
公开日期1994-07-27
授权国家日本
专利类型授权发明
摘要PURPOSE:To reduce an astigmatic difference by decreasing the thickness of a light guide layer and a clad layer outside a ridge near an emitting end face, and increasing the difference of equivalent refractive indexes between a region having the ridge and regions having no ridge on the both sides. CONSTITUTION:The thickness d1 of a light guide layer 6 and a clad layer 7 outside the ridge 12 of an emitting end face near region, the thickness c1 of a cap layer 8 in the ridge 12, the thickness l1 of the light guide layer 6 and the clad layer 7 inside the ridge 12, the thickness d0 of the light guide layer 6 and the clad layer 7 outside the ridge 12 of a self-excited oscillation region, the thickness c0 of the cap layer 8 in the ridge 12, and the thickness l0 of the light guide layer 6 and the clad layer 7 inside the ridge 12 satisfy the relationships d0>d1, c0
其他摘要目的:通过减小发光端面附近的脊外的光导层和包层的厚度来减小像散差,并增加具有脊的区域和没有脊的区域之间的等效折射率的差异。双方。组成:光导层6和发光端面附近的脊12外侧的包层7的厚度d1,脊12中的盖层8的厚度c1,导光层6的厚度l1脊12内的包层7,自激振荡区域的脊12外侧的导光层6和包层7的厚度d0,脊12中的盖层8的厚度c0,以及在脊12内部的导光层6和包层7的厚度l0满足关系d0> d1,c0
申请日期1988-12-29
专利号JP1994056910B2
专利状态失效
申请号JP1988334128
公开(公告)号JP1994056910B2
IPC 分类号H01S | H01S5/065 | H01S5/00 | H01S5/042 | H01S3/18
专利代理人山本 秀策
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84708
专题半导体激光器专利数据库
作者单位シャープ株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
須山 尚宏,近藤 雅文,佐々木 和明,等. 半導体レーザ素子及びその製造方法. JP1994056910B2[P]. 1994-07-27.
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