Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser devices and process for making them | |
| 其他题名 | Semiconductor laser devices and process for making them |
| SHIMOYAMA, KENJI C/O MITSUBISHI KASEI CORPORATION; GOTOH, HIDEKI C/O MITSUBISHI KASEI CORPORATION | |
| 1990-03-14 | |
| 专利权人 | MITSUBISHI KASEI CORPORATION |
| 公开日期 | 1990-03-14 |
| 授权国家 | 欧洲专利局 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | Carrier injection layers (5, 7) are formed on an AlxGa1-xAs clad layer (2) of high resistance by embedding and re-growth with the use of crystal growth processes such as MO-VPE or MO-MBE where material supply sources are all provided by gas sources, whereby it is not required to mesa-etch embedding regions to a depth reaching a substrate (1); the formation of any separate blocking layer is dispensed with; any possible influence of the substrate (1) is eliminated; and the time constant is decreased by decreasing the inter-electrode capacity. |
| 其他摘要 | 通过使用诸如MO-VPE或MO-MBE的晶体生长工艺嵌入和再生长，在高电阻的AlxGa1-xAs包层（2）上形成载流子注入层（5,7），其中材料供应源是所有这些都是由气源提供的，因此不需要对嵌入区域进行台面蚀刻到达基板（1）的深度;不需要形成任何单独的阻挡层;消除了衬底（1）的任何可能的影响;并且通过降低电极间容量来降低时间常数。 |
| 申请日期 | 1989-05-10 |
| 专利号 | EP0342018A3 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | EP1989304757 |
| 公开（公告）号 | EP0342018A3 |
| IPC 分类号 | H01L21/20 | H01S5/00 | H01S5/042 | H01S5/22 | H01S5/227 | H01S5/343 | H01S3/19 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | BUBB, ANTONY JOHN ALLEN |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84707 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI KASEI CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SHIMOYAMA, KENJI C/O MITSUBISHI KASEI CORPORATION,GOTOH, HIDEKI C/O MITSUBISHI KASEI CORPORATION. Semiconductor laser devices and process for making them. EP0342018A3[P]. 1990-03-14. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| EP0342018A3.PDF（233KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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