半導体レーザの製造方法

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	半導体レーザの製造方法
其他题名	半導体レーザの製造方法
	渡辺幸雄; 岡島正季; 波多腰玄一
	1999-04-16
专利权人	株式会社東芝
公开日期	1999-07-05
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To form a stripe having a plurality of stages by single photoresist processing by forming a heterogeneous layer between a region for forming difference in refractive index and a region for narrowing current and etching them with different kinds of etchant respectively. CONSTITUTION:An n-InGaP buffer layer 12, an n-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P clad layer 13, an InGaP active layer 14, a p-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P clad layer 15, a p-InGaP etching stop layer 16, a p-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P clad layer 17, an n-InGaP heterogeneous layer 18 and an n-GaAs current preventing layer 19 are formed on an n- GaAs substrate 1 A resist mask 20 having a stripe opening is formed on the layer 19. Then SH etching solution is used to etch the layer 19 in stripes. Then etchant of hydrogen bromide is used to etch the layer 18 and hot sulfuric acid is used to etch the layer 17. A p-In0.5(Ga0.5al0.5)0.5P coating layer 21, a p-In0.5(Ga0.3 Al0.7)0.5P coating layer 22, a p-InGaP intermediate band gap layer 23, a p-GaAs contact layer 24 and electrodes 25, 26 are formed.
其他摘要	目的：通过在用于形成折射率差的区域和用于使电流变窄的区域之间形成异质层并分别用不同种类的蚀刻剂蚀刻它们，通过单光刻胶处理形成具有多个级的条带。组成：n-InGaP缓冲层12，n-In0.5（Ga0.3Al0.7）0.5P包层13，InGaP有源层14，p-In0.5（Ga0.3Al0.7）0.5P形成包层15，p-InGaP蚀刻停止层16，p-In0.5（Ga0.3Al0.7）0.5P包层17，n-InGaP异质层18和n-GaAs电流防止层19在层19上形成具有条形开口的抗蚀剂掩模20.然后使用SH蚀刻溶液以条纹蚀刻层19。然后使用溴化氢蚀刻剂蚀刻层18，并使用热硫酸蚀刻层17.P-In0.5（Ga0.5al0.5）0.5P涂层21，p-In0.5（形成Ga0.3Al0.7）0.5P涂层22，p-InGaP中间带隙层23，p-GaAs接触层24和电极25,26。
申请日期	1990-03-30
专利号	JP2914711B2
专利状态	失效
申请号	JP1990084668
公开（公告）号	JP2914711B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/227 \| H01S5/00 \| H01S5/223 \| H01S3/18
专利代理人	鈴江武彦 (外3名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84641
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社東芝
推荐引用方式 GB/T 7714	渡辺幸雄,岡島正季,波多腰玄一. 半導体レーザの製造方法. JP2914711B2[P]. 1999-04-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2914711B2.PDF（37KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文