Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 窒化物半導体レーザ装置 | |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ装置 |
| 佐藤 智也; 高山 徹; 粂 雅博; 木戸口 勲 | |
| 2009-12-03 | |
| 专利权人 | PANASONIC CORP |
| 公开日期 | 2009-12-03 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】垂直FFP形状を改善した窒化物半導体レーザ装置を提案する。 【解決手段】窒化物半導体レーザ装置は、GaN基板の上に形成されたn型InAlGaN光吸収層と、n型InAlGaN光吸収層の上に形成されたn型AlGaNクラッド層と、n型AlGaNクラッド層の上に形成されたInGaN活性層と、InGaN活性層の上に形成され、n型AlGaNクラッド層の屈折率よりも小さい屈折率を有するp型AlGaN層とを備える。 【選択図】図1 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供具有改进的垂直FFP形状的氮化物半导体激光器件。 氮化物半导体激光器件包括形成在GaN衬底上的n型InAlGaN光吸收层，形成在n型InAlGaN光吸收层上的n型AlGaN包层，n型AlGaN包层形成在InGaN有源层上的InGaN有源层和形成在InGaN有源层上并且具有小于n型AlGaN包层的折射率的折射率的p型AlGaN层。 点域1 |
| 申请日期 | 2008-05-19 |
| 专利号 | JP2009283511A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2008131307 |
| 公开（公告）号 | JP2009283511A |
| IPC 分类号 | H01S5/323 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 前田 弘 | 竹内 宏 | 嶋田 高久 | 竹内 祐二 | 今江 克実 | 藤田 篤史 | 二宮 克也 | 原田 智雄 | 井関 勝守 | 関 啓 | 杉浦 靖也 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84565 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | PANASONIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐藤 智也,高山 徹,粂 雅博,等. 窒化物半導体レーザ装置. JP2009283511A[P]. 2009-12-03. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2009283511A.PDF（85KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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