Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser | |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| OHIRA, KAZUYA; YOSHIDA, HARUHIKO; EZAKI, MIZUNORI | |
| 2013-12-17 | |
| 专利权人 | KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
| 公开日期 | 2013-12-17 |
| 授权国家 | 美国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | In one embodiment, a semiconductor laser includes a semiconductor laminated body formed in a ring shape and first and second electrodes. The semiconductor laminated body includes an active layer, first and second cladding layers formed on both sides of the active layer, first and second contact layers formed on the first and second cladding layers, and first and second modified layers. The first and second modified layers are formed by selectively modifying the inner peripheral sidewalls and the outer peripheral sidewalls of the first and second cladding layers so as to have a refractive index lower than the refractive indexes of the first and second cladding layers. The first and second contact layers are electrically connected to the first and second electrodes. |
| 其他摘要 | 在一个实施例中，半导体激光器包括形成为环形的半导体层叠体以及第一和第二电极。半导体层叠体包括有源层，形成在有源层两侧的第一和第二包层，形成在第一和第二包层上的第一和第二接触层，以及第一和第二改性层。通过选择性地改变第一和第二包层的内周侧壁和外周侧壁以形成具有低于第一和第二包层的折射率的折射率来形成第一和第二改性层。第一和第二接触层电连接到第一和第二电极。 |
| 申请日期 | 2011-03-17 |
| 专利号 | US8611392 |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | US13/050416 |
| 公开（公告）号 | US8611392 |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/083 | H01S3/097 | H01S3/08 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | OBLON, SPIVAK, MCCLELLAND, MAIER & NEUSTADT, L.L.P. |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84532 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | OHIRA, KAZUYA,YOSHIDA, HARUHIKO,EZAKI, MIZUNORI. Semiconductor laser. US8611392[P]. 2013-12-17. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| US8611392.PDF（1119KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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