Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光装置 | |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 石川 正行; 西川 幸江; 斎藤 真司 | |
| 1994-09-22 | |
| 专利权人 | 株式会社東芝 |
| 公开日期 | 1994-09-22 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】動作電圧や動作電流の低減化が図れる II-VI族化合物半導体を用いた半導体発光装置を提供すること。 【構成】p型InP基板1と、このp型InP基板1上に形成され、Cd1-u-vZnu Mgv Se(0≦u, v≦1)からなるp型クラッド層2と、このp型クラッド層2上に形成され、Cd1-w-x Znw Mgx Se(0≦w, x≦1)からなる活性層3と、この活性層3上に形成され、Cd1-y-z Zny Mgz Se(0≦y, z≦1)からなるn型クラッド層4とを備えている。 |
| 其他摘要 | 提供一种使用能够降低工作电压和工作电流的II-VI族化合物半导体的半导体发光器件。 在所述p型InP衬底上形成的p型InP衬底，其具有Cd 1-uv Zn u Mg v 的组成式在p型包覆层2上形成Cd 1-wx Zn w ，由Se（0≤u，v≤1）制成的p型包覆层2由Mg x Se（0≤w，x≤1）制成的有源层3和在有源层3上形成并具有Cd 1-yz Zn 的有源层3由y Mg z Se（0≤y，z≤1）构成的n型包覆层4。 |
| 申请日期 | 1993-03-11 |
| 专利号 | JP1994268331A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1993051102 |
| 公开（公告）号 | JP1994268331A |
| IPC 分类号 | H01L | H01S | H01L33/06 | H01L33/30 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 鈴江 武彦 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84469 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石川 正行,西川 幸江,斎藤 真司. 半導体発光装置. JP1994268331A[P]. 1994-09-22. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1994268331A.PDF（45KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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