半導体発光素子

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導体発光素子
其他题名	半導体発光素子
	山口栄雄; 赤▲崎▼ 勇; 天野浩
	2000-07-14
专利权人	日本学術振興会
公开日期	2000-07-14
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】 III 族窒化物半導体を用いて紫外および可視短波長領域から赤外領域で発光する発光素子を実現するための素子構造を提供することにある。【解決手段】本発明による発光素子は、絶縁性基板をサファイア基板で構成し、このサファイア基板の層形成させるべき面を(0001)c面とし、このサファイア基板のc面上に第1導電型のAlNの緩衝層を介して第1導電型のGaNSi層の第1のクラッド層をエピタキシャル成長し、形成された際1のクラッド層上に単結晶の{InNまたは(およびGa1-x Inx NまたはAl1-x InxN)}の真性活性層InNをMOVPE法により形成し、また第1のクラッド層上に金属電極を形成し、この真性活性層上に第2導電型のキャップ層を形成し、このキャップ層上にMgを添加した第2導電型のAlGaN層を光閉じ込め層として形成し、この層上にMgを添加した第2導電型の第2のクラッド層、GaN層を形成し、この半導体層上に金属電極を形成することを特徴とする。これにより、燐および砒素等の有毒元素を含まない長波長発光素子が可能となる。
其他摘要	要解决的问题：通过有源层由InN形成的方法和InN层的厚度，即使有源层和包层之间的晶格常数差异变大，也设法不产生位错等缺陷。设置低于特定值或低于特定值。解决方案：蓝宝石板10具有将要形成层状结构的表面10a，并且在表面上依次形成GaN的第一导电型第一覆层，有源层和第二导电型第二覆层10A。蓝宝石板10的C平面用作沉积分层结构的平面，并且在其上沉积AlN缓冲层11。然后，在缓冲层11上外延生长添加Si的第一导电型GaN第一包层12.然后，通过第一导电型GaN包层12在第一导电型GaN包层12上的少分子层中沉积有源层13。有机金属化合物气相生长装置。当生长二元InN层时，InN层生长为与第一导电类型GaN上的几分子层一样厚。此外，当沉积二元InN层时，如果二元InN层沉积为2至3分子层的厚度，则可以获得最高效率。
申请日期	1998-12-28
专利号	JP2000196146A
专利状态	失效
申请号	JP1998373465
公开（公告）号	JP2000196146A
IPC 分类号	H01L33/40 \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01L33/12 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01L33/00
专利代理人	杉村暁秀 (外8名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84461
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本学術振興会
推荐引用方式 GB/T 7714	山口栄雄,赤▲崎▼ 勇,天野浩. 半導体発光素子. JP2000196146A[P]. 2000-07-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2000196146A.PDF（30KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文