Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser | |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| JINDOU MASAAKI | |
| 1989-09-26 | |
| 专利权人 | NEC CORP |
| 公开日期 | 1989-09-26 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To dispense with a beam shaping or a condensing lens by disposing first, second and third regions in a concentrically adjacent manner, and disposing the third, first and second regions in this order from the center of the concentric circle outward. CONSTITUTION:A semiconductor laser is formed of a ringlike active region (first region) 1, Bragg's reflection (DBR) region (second region) 2 surrounding the region 1, and a grating photocoupler region (third region) 3 surrounded by the region 1, and disposed concentrically with respect to a central point 4. The region 3 is formed of an N-type GaAs substrate 5, an N-type Al0.35Ga0.65 As layer 6, a diffraction grating 11 having a concentric group symmetrical with respect to the center 4 and including a modulated period, a high resistance Al0.15Ga0.85As layer 12, and a high resistance Al0.35Ga0.65As layer 13, radiates a circular laser light perpendicularly to the face of an element through a grating photocoupler, thereby condensing it to one point. |
| 其他摘要 | 用途：通过以同心相邻的方式设置第一，第二和第三区域，并从同心圆的中心向外依次设置第三，第一和第二区域，以省去光束整形或聚光透镜。组成：半导体激光器由环状有源区（第一区域）1，围绕区域1的布拉格反射（DBR）区域（第二区域）2和由区域1包围的光栅光电耦合器区域（第三区域）3形成，区域3由N型GaAs衬底5，N型Al0.35Ga0.65As层6，具有相对于同心对称的同心群的衍射光栅11形成。中心4包括调制周期，高电阻Al0.15Ga0.85As层12和高电阻Al0.35Ga0.65As层13，通过光栅光电耦合器垂直于元件面辐射圆形激光，从而将它冷凝到一点。 |
| 申请日期 | 1988-03-23 |
| 专利号 | JP1989241885A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1988070601 |
| 公开（公告）号 | JP1989241885A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/187 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84437 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | JINDOU MASAAKI. Semiconductor laser. JP1989241885A[P]. 1989-09-26. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1989241885A.PDF（121KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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