半導体レーザの製造方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導体レーザの製造方法
其他题名	半導体レーザの製造方法
	▲崎▼山肇; 田中治夫; 虫上雅人
	1994-07-20
专利权人	ローム株式会社
公开日期	1994-07-20
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To obtain a semiconductor laser with low threshold current by provid ing an N-type or an undoped layer on a first upper clad layer and by implanting ion which can be a P-type dopant into a part corresponding to this stripe groove. CONSTITUTION:An upper-part clad layer 21, an active layer 22, a first upper-part clad layer 23, an N-type or an undoped layer 23a, a light-absorbing layer 24, and an evaporation-prevention layer 25 are laminated on the surface of a semi conductor substrate 1 in sequence for forming a first growth layer 2. The evaporation-prevention layer 25 other than a part where a stripe groove 3 is formed is covered with a photo resist 6 and the evaporation-prevention layer 25 and the light-absorbing layer 24 are etched so that the light-absorbing layer is left slightly, thus forming the stripe groove 3 of desired width. Then, ion is implanted into the surface of the N-type layer 20a and a P-type dopant ion implantation part 5 is formed at a part corresponding to the stripe groove 3 of the N-type layer 23a. The semiconductor substrate 1 is heated while irradiat ing As molecular rays, thus evaporating impurities such as an oxide adhered to the surface of the substrate 1 and light-absorbing layer and forming a second growth layer 4 on the substrate
其他摘要	目的：通过在第一上包层上提供N型或未掺杂层并通过将可以是P型掺杂剂的离子注入到与该条纹槽对应的部分中来获得具有低阈值电流的半导体激光器。组成：层叠上部包层21，活性层22，第一上部包层23，N型或未掺杂层23a，光吸收层24和蒸发防止层25在半导体衬底1的表面上依次形成第一生长层2.除了形成条纹沟槽3的部分之外的蒸发防止层25覆盖有光致抗蚀剂6和蒸发防止层25蚀刻光吸收层24，使光吸收层稍微留下，从而形成所需宽度的条纹槽3。然后，将离子注入到N型层20a的表面中，并且在与N型层23a的条纹沟槽3对应的部分处形成P型掺杂剂离子注入部分5。在照射分子射线的同时加热半导体衬底1，从而蒸发附着在衬底1和光吸收层表面上的诸如氧化物的杂质，并在衬底1上形成第二生长层4。
申请日期	1989-01-23
专利号	JP1994054826B2
专利状态	失效
申请号	JP1989013682
公开（公告）号	JP1994054826B2
IPC 分类号	H01S \| H01L \| H01L21/203 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	中村茂信
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84430
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ローム株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	▲崎▼山肇,田中治夫,虫上雅人. 半導体レーザの製造方法. JP1994054826B2[P]. 1994-07-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1994054826B2.PDF（27KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文