Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor device | |
| 其他题名 | Semiconductor device |
| TASAI, KUNIHIKO; NAKAJIMA, HIROSHI; FUTAGAWA, NORIYUKI; YANASHIMA, KATSUNORI; ENYA, YOHEI; KUMANO, TETSUYA; KYONO, TAKASHI | |
| 2016-01-05 | |
| 专利权人 | SONY CORPORATION |
| 公开日期 | 2016-01-05 |
| 授权国家 | 美国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | A semiconductor device includes: a semiconductor substrate made of a hexagonal Group III nitride semiconductor and having a semi-polar plane; and an epitaxial layer formed on the semi-polar plane of the semiconductor substrate and including a first cladding layer of a first conductive type, a second cladding layer of a second conductive type, and a light-emitting layer formed between the first cladding layer and the second cladding layer, the first cladding layer being made of Inx1Aly1Ga1-x1-y1N, where x1>0 and y1>0, the second cladding layer being made of Inx2Aly2Ga1-x2-y2N, where0≦x2≦about 0.02 and about 0.03≦y2≦about 0.07. |
| 其他摘要 | 一种半导体器件，包括：由六方晶系III族氮化物半导体制成并具有半极性平面的半导体衬底;外延层形成在半导体衬底的半极性平面上，包括第一导电类型的第一包层，第二导电类型的第二包层，以及形成在第一包层和第一包层之间的发光层。第二包层，第一包层由In x1 Al y1 Ga 1-x1-y1 N制成，其中x 1 > 0和y 1 > 0，第二包层由In x2 Al y2 Ga 1制成-x2-y2 N，其中0≤xb ≤约0.02且约0.03≤y≤约0.07。 |
| 申请日期 | 2013-02-12 |
| 专利号 | US9231375 |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | US13/765375 |
| 公开（公告）号 | US9231375 |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/32 | H01S5/343 | H01S5/30 | B82Y20/00 | H01S5/20 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | K&L GATES LLP |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84415 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | TASAI, KUNIHIKO,NAKAJIMA, HIROSHI,FUTAGAWA, NORIYUKI,et al. Semiconductor device. US9231375[P]. 2016-01-05. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| US9231375.PDF（1173KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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