Manufacture of semiconductor laser

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Manufacture of semiconductor laser
其他题名	Manufacture of semiconductor laser
	IWANO HIDEAKI
	1987-06-25
专利权人	SEIKO EPSON CORP
公开日期	1987-06-25
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To simplify manufacturing processes remarkably, by carrying out a film forming process and an etching process of a compound semiconductor thin film in the same vacuum container. CONSTITUTION:An n-type GaAs substrate 101 is provided on a carbon susceptor, which is placed in a vacuum container in a compound semiconductor thin film manufacturing apparatus using an MOCVD method. After evacuation, an organic metal compound, which is to become a raw material gas, and raw material gas for a group V element such as arsine AsH3 are introduced in the vacuum container. The GaAs substrate 101 is heated by heating method of high frequency induction heating and the like. Then, the following layers are sequentially laminated at appropriate ratios: an n-type GaAs buffer layer 102, an n-type GaAlAs clad layer 103, a GaAs active layer 104, a p-type CaAlAs clad layer 105, and an n-type GaAs blocking layer 106.
其他摘要	用途：通过在同一真空容器中进行化合物半导体薄膜的成膜工艺和蚀刻工艺，显着简化制造工艺。组成：在碳基座上提供n型GaAs基板101，其使用MOCVD方法放置在化合物半导体薄膜制造设备中的真空容器中。抽真空后，在真空容器中导入作为原料气体的有机金属化合物和砷化氢AsH 3等V族元素的原料气体。通过高频感应加热等的加热方法加热GaAs衬底101。然后，以适当的比例依次层叠以下层：n型GaAs缓冲层102，n型GaAlAs包层103，GaAs有源层104，p型CaAlAs包层105和n型GaAs阻挡层106。
申请日期	1985-12-17
专利号	JP1987142385A
专利状态	失效
申请号	JP1985283784
公开（公告）号	JP1987142385A
IPC 分类号	H01L21/302 \| H01L21/205 \| H01L21/306 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84391
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SEIKO EPSON CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	IWANO HIDEAKI. Manufacture of semiconductor laser. JP1987142385A[P]. 1987-06-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1987142385A.PDF（214KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文