Manufacture of semiconductor laser device

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	Manufacture of semiconductor laser device
其他题名	Manufacture of semiconductor laser device
	YAGI TETSUYA
	1990-04-26
专利权人	MITSUBISHI ELECTRIC CORP
公开日期	1990-04-26
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To prevent a crystal interface from being oxidized and to enhance a crystalline property near it by a method wherein a grading is formed, a meltback operation is thin executed twice inside a liquid epitaxial apparatus and, after that, a third clad layer and a contact layer are grown epitaxially one after another. CONSTITUTION:In a first epitaxial growth process, a first clad layer 2, an active layer 3, a second clad layer 4, a light waveguide layer 6 and a mask layer 10 are formed one after another on a substrate Then, the mask layer 10 is etched down to the light waveguide layer 5; a grading of a required shape is formed; after that, this assembly is inserted into a liquid epitaxial apparatus. Accordingly, this wafer is placed inside the liquid epitaxial apparatus until a second epitaxial growth process is finished; it is not exposed to the air. After that, a third clad layer 6 and a contact layer 7 are grown epitaxially one after another in the second epitaxial growth process; the wafer is obtained. Thereby, an interface between the light waveguide layer 5 and the third clad layer 6 is not oxidized; a crystalline property near a regrowth interface can be kept good.
其他摘要	目的：为了防止晶体界面被氧化并通过形成分级的方法增强其附近的结晶性能，在液体外延设备内部进行两次薄膜回熔操作，之后，第三覆层和接触层一个接一个地外延生长。组成：在第一个外延生长过程中，在基板1上一个接一个地形成第一包层2，有源层3，第二包层4，光波导层6和掩模层10。然后，掩模将层10向下蚀刻到光波导层5;形成所需形状的分级;之后，将该组件插入液体外延设备中。因此，将该晶片放置在液体外延设备内部，直到完成第二外延生长工艺;它没有暴露在空气中。之后，在第二外延生长工艺中一个接一个地外延生长第三包层6和接触层7;获得晶片。由此，光波导层5和第三包层6之间的界面不被氧化;在再生界面附近的结晶性质可以保持良好。
申请日期	1988-10-24
专利号	JP1990114587A
专利状态	失效
申请号	JP1988267371
公开（公告）号	JP1990114587A
IPC 分类号	H01L21/208 \| H01S5/00 \| H01S5/12 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84381
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MITSUBISHI ELECTRIC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	YAGI TETSUYA. Manufacture of semiconductor laser device. JP1990114587A[P]. 1990-04-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1990114587A.PDF（180KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文