Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 近藤 正彦; 丹羽 敦子; 魚見 和久; 佐川 みすず | |
| 1996-07-30 | |
| 专利权人 | HITACHI LTD |
| 公开日期 | 1996-07-30 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 本発明は、ΔEcが十分に大きい材料系を使用する事により、環境温度が変化しても特性がほとんど変化しないの光通信用半導体レーザを提供することを目的とする。 【構成】 n-GaP基板1、n-GaPクラッド層2、光ガイド層3、5及びGaNAs量子井戸層4から構成される単一量子井戸活性層6、p-GaPクラッド層7により構成されている。 【効果】 本発明により、25℃から85℃の範囲におけるToが100Kを越える高温動作特性の優れた光通信用半導体レーザを提供することができる。 |
| 其他摘要 | [目的]本发明的目的是提供一种用于光通信的半导体激光器，其使用具有足够大的ΔEc的材料系统，使得即使在环境温度变化时特性也几乎不变化。 由n-GaP衬底（1），n-GaP覆层（2），光导层（3,5）和GaNAs量子阱层（4）以及p-GaP覆层构成的单量子阱有源层（6）那里。 根据本发明，可以提供一种用于光通信的半导体激光器，其具有优异的高温操作特性，在25℃至85℃的范围内To超过100K。 |
| 申请日期 | 1994-11-30 |
| 专利号 | JP1996195522A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994296210 |
| 公开（公告）号 | JP1996195522A |
| IPC 分类号 | H01S5/323 | H01S5/34 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 小川 勝男 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84321 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 正彦,丹羽 敦子,魚見 和久,等. 半導体レーザ. JP1996195522A[P]. 1996-07-30. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1996195522A.PDF（92KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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