窒化物半導体発光素子

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	窒化物半導体発光素子
其他题名	窒化物半導体発光素子
	大野彰仁; 蔵本恭介
	2009-04-02
专利权人	三菱電機株式会社
公开日期	2009-04-02
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】本発明は、動作電圧を抑制した窒化物半導体発光素子に関し、低い電圧での利用に適した、窒化物系半導体からなる発光素子を提供する事を目的とする。【解決手段】p型コンタクト層と、該p型コンタクト層の下層に形成されたp型中間層と、該p型中間層の下層に形成されたp型クラッド層とを備える。該p型コンタクト層はMgがドープされたInAlGaNであり、該p型中間層はMgがドープされた、AlGaNであり、該p型クラッド層はMgがドープされた、AlGaNであり、該p型コンタクト層と該p型中間層間および、該p型中間層と該p型クラッド層間のバンドギャップ差がそれぞれ100meV以下であり、該p型中間層のバンドギャップは、該p型コンタクト層のバンドギャップと該p型クラッド層のバンドギャップの間の値であり、該p型中間層のMg濃度は、該p型クラッド層のMg濃度より低い。【選択図】図2
其他摘要	要解决的问题：提供一种控制工作电压的氮化物半导体发光元件，其包括氮化物基半导体并且适合在低电压下使用。解决方案：氮化物半导体发光元件包括p型接触层，形成在p型接触层下方的p型中间层和形成在p型中间层下方的p型覆层。 p型接触层是Mg掺杂的InAlGaN，p型中间层是Mg掺杂的AlGaN，p型覆盖层是Mg掺杂的AlGaN。 p型接触层和p型中间层之间以及p型中间层和p型覆盖层之间的带隙差异均≥100meV。将p型中间层的带隙设定为p型接触层的带隙与p型包覆层的带隙之间的值。 p型中间层中的Mg浓度低于p型覆层中的Mg浓度。 Ž
申请日期	2009-01-08
专利号	JP2009071341A
专利状态	授权
申请号	JP2009002400
公开（公告）号	JP2009071341A
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/22 \| H01S5/00
专利代理人	高田守 \| 高橋英樹
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84320
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三菱電機株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	大野彰仁,蔵本恭介. 窒化物半導体発光素子. JP2009071341A[P]. 2009-04-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2009071341A.PDF（62KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文