Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
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| 其他题名 | - |
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| 1982-05-13 | |
| 专利权人 | HITACHI LTD |
| 公开日期 | 1982-05-13 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | PURPOSE:To produce an enough passivation effect on a semiconductor laser unit and minimize the fluctuation in its threshold current, by providing at least light output end face of the laser unit with a film of an amorphous material which contains Si and H2 as indispensable constituents. CONSTITUTION:A cathode 5 is coated on the reverse side of a GaAs substrate 8. An n-type Ga1-zAlzAs layer 4, an n-type or p-type active Ga1-yAlAs layer 3 and a p-type Ga1-xAlxAs layer 2 are sequentially grown on the obverse side of the substrate. A p-type GaAs layer 7 is produced on the layer 2. Another cathode 1 is coated on the layer 7 and surrounded by an insulator layer 10. The electrodes 1, 5 are connected to a power source. A laser unit is thus constituted. A passivation film 6 is coated on the surface of the unit. The film 6 is made of an H2-containing amorphous Si layer by a sputtering means and may be made of multilayer film structure if necessary. As a result, the end face reflexibility is prevented from changing due to the thickness of the film 6. Therefore, the threshold current does not fluctuate. |
| 其他摘要 | 目的：通过至少为激光单元的光输出端面提供含Si和H 2不可缺少成分的无定形材料膜，为半导体激光器单元产生足够的钝化效果并使其阈值电流的波动最小化。构成：阴极5被涂覆在GaAs衬底8的背面上.n型Ga1-zAlZAs层4，n型或p型有源Ga1-yAlAs层3和p型Ga1-xAlxAs层2依次生长在衬底的正面上。在层2上产生p型GaAs层7.另一个阴极1涂覆在层7上并被绝缘层10包围。电极1,5连接到电源。由此构成激光单元。钝化膜6涂覆在单元的表面上。膜6由含H 2非晶Si层通过溅射装置制成，并且如果需要可以由多层膜结构制成。结果，防止了端面反射性由于膜6的厚度而改变。因此，阈值电流不会波动。 |
| 申请日期 | 1979-02-26 |
| 专利号 | JP1982022426B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1979020802 |
| 公开（公告）号 | JP1982022426B2 |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/028 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84279 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | -. -. JP1982022426B2[P]. 1982-05-13. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1982022426B2.PDF（285KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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