半導体発光素子の製造方法

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	半導体発光素子の製造方法
其他题名	半導体発光素子の製造方法
	原義博; 石橋明彦; 長谷川義晃; 上村信行; 粂雅博; 伴雄三郎; 木戸口勲
	1998-09-11
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期	1998-09-11
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】平坦なエッチング面を得ることのできるエッチング方法を用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】サファイア(0001)面基板101上にMOCVD法等により、各半導体層102〜107をエピタキシャル成長する。半導体結晶の表面にレジストを塗布した後、フォトマスクを用いて露光および現像を行いレジストマスク108を形成する。そして、このマスク108を用いてArイオンを用いたイオンミリングにより、半導体結晶の一部をエッチングしてn型GaN層103を露出させる。エッチング工程として、Arイオン等によるイオンミリングを用いることにより、エッチング残渣やエッチピットのない平坦なエッチング面を得ることができる。
其他摘要	要解决的问题：通过使用能够获得平坦蚀刻表面的蚀刻方法来提供半导体发光元件的制造方法。解决方案：通过MOCVD等在蓝宝石（0001）面基板101上外延生长每个半导体层102-107。在将抗蚀剂涂覆到半导体晶体的表面上之后，使用光掩模进行曝光和显影，并形成抗蚀剂掩模108。并且通过使用该掩模108通过使用Ar离子进行离子研磨，蚀刻半导体晶体的一部分并暴露n型GaN层103。通过使用Ar离子等的离子研磨系统和蚀刻工艺，可以获得没有蚀刻残留物和蚀刻坑的平坦蚀刻表面。
申请日期	1997-02-26
专利号	JP1998242576A
专利状态	失效
申请号	JP1997041920
公开（公告）号	JP1998242576A
IPC 分类号	H01L \| H01S \| H01L33/16 \| H01L21/3065 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01L21/302 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	滝本智之 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84273
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	原義博,石橋明彦,長谷川義晃,等. 半導体発光素子の製造方法. JP1998242576A[P]. 1998-09-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998242576A.PDF（38KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文