Distributed feedback type semiconductor laser

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	Distributed feedback type semiconductor laser
其他题名	Distributed feedback type semiconductor laser
	HIRATA SHOJI
	1991-11-08
专利权人	SONY CORP
公开日期	1991-11-08
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To improve the probability single wavelength oscillation for improvement of the yield by providing a first conductivity type first cladding layer, an active layer, a second conductivity type second cladding layer, and a secondary grating, and further providing a multiple reflection film structure in at least one cladding layer. CONSTITUTION:There are grown on an n-type GaAs substrate 11 a first conductivity type, a first cladding layer 1 comprising an n-type Al0.3Ga0.7As for example, an active layer 2 comprising undoped GaAs, and a second conductivity type guide layer 12 comprising p-type Al0.15Ga0.85As for example by a continuous MOCVD (organic metal chemical vapor growth method), etc. A secondary grating 4 is formed using a two-beam interference exposure process, on which a second conductivity type second cladding layer 3 comprising p-type Al0.3Ga0.7As for example is grown. Further, Al0.1Ga0.9As and AlAs for example are grown alternately with a pitch 1/4 of an in-medium wavelength by a MOCVD, etc., to form a multiple reflection film structure 6. Reflected light from the multiple reflection film structure 6 strongly affects a wavelength mode of the light in the active layer 2 to substantially moderate the influence of the phase of the grating 4 at an end surface 5.
其他摘要	目的：通过提供第一导电型第一包层，有源层，第二导电型第二包层和次级光栅，提高单波长振荡的概率，以提高产量，并进一步提供多重反射膜结构。至少一个包层。组成：在n型GaAs衬底11上生长第一导电类型，第一包层1包括例如n型Al0.3Ga0.7As，有源层2包括未掺杂的GaAs，和第二导电类型指南层12包括p型Al0.15Ga0.85As，例如通过连续MOCVD（有机金属化学气相生长法）等。使用双光束干涉曝光工艺形成二次光栅4，其上具有第二导电类型第二例如，生长包括p型Al 0.3 Ga 0.7 As的包层3。此外，Al0.1Ga0.9As和AlAs例如通过MOCVD等以中间波长的1/4的间距交替生长，以形成多重反射膜结构6.来自多重反射膜结构的反射光图6的实施例强烈地影响有源层2中的光的波长模式，以基本上缓和光栅4的相位在端面5处的影响。
申请日期	1990-02-28
专利号	JP1991250686A
专利状态	失效
申请号	JP1990047429
公开（公告）号	JP1991250686A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/12 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84214
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SONY CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	HIRATA SHOJI. Distributed feedback type semiconductor laser. JP1991250686A[P]. 1991-11-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1991250686A.PDF（239KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文