半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法

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	半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法
其他题名	半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法
	野澤博; 佐々木徹; 天明二郎; 柴田知尋; 須郷満
	2000-08-22
专利权人	NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
公开日期	2000-08-22
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】低コストで簡単に作製できる高出力且つ高信頼性を具備した半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】GaAlAsの下部クラッド層12、GaAsのバルク活性層13、GaAlAsの上部クラッド層14をGaAsの基板11上に成長させ、光出射端面周辺を下部クラッド層12に達する深さまでエッチングし、当該部分にアンドープGaAlAsの下部クラッド層15、アンドープGaAlAsのコア層16、アンドープGaAlAsの上部クラッド層17をMOVPE法により選択領域的に再成長させ、GaAlAsの上部クラッド層18およびGaAsのコンタクト層19を成長させた後、ECRプラズマエッチングにより光出射方向に沿って光導波路10を形成し、表面電極および裏面電極を形成して劈開したら、前端面に反射防止膜を形成し、後端面に高反射膜を形成する。
其他摘要	要解决的问题：提供半导体激光器和制造具有高输出和高可靠性的半导体激光器的方法，其可以以低成本容易地制造。在GaAs衬底上生长GaAlAs的下包层，GaAs的体活性层和GaAlAs的上包层，发光端面的周边被蚀刻到达下包层的深度，未掺杂的GaAlAs的下包层15，未掺杂的GaAlAs的芯层16和未掺杂的GaAlAs的上包层17通过MOVPE方法再生长为选择区域，以形成GaAlAs的上包层18和GaAs的接触层19在生长之后，通过ECR等离子体蚀刻沿光发射方向形成光波导10，通过形成前电极和后电极来执行切割，在前端面上形成抗反射膜，形成高反射膜形成。
申请日期	1999-02-10
专利号	JP2000232254A
专利状态	失效
申请号	JP1999032199
公开（公告）号	JP2000232254A
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01L21/306 \| H01L21/308 \| H01S5/343 \| H01L21/3065 \| H01S5/00 \| H01S5/16 \| H01L21/302
专利代理人	光石俊郎 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84102
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	野澤博,佐々木徹,天明二郎,等. 半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法. JP2000232254A[P]. 2000-08-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2000232254A.PDF（98KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文