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Optical bistable element
其他题名Optical bistable element
JINDOU MASAAKI
1986-05-16
专利权人NEC CORP
公开日期1986-05-16
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要PURPOSE:To enable to easily manufacture the titled element and to easily form the element into a microscopic type by a method wherein the element has an all-light-operated single structure and an electric wiring such as electrode is dispensed with in this structure. CONSTITUTION:This optical bistable element consists of an Al0.3Ga0.7As clad layer 2, an Al0.2Ga0.8 light guide layer 3, an Al0.3Ga0.7As clad layer 4 and a groove 5, which are formed on a GaAs substrate 1, and Al0.3Ga0.7As clad layers 6, 8 and 10, a saturable absorption layer 7, an Al0.2Ga0.8As light guide layer 9 and a resonator surface 11, which are laminated along the side surfaces and bottom surface of the groove 5. By this constitution, the photo input is efficiently incided in the quantum well layer 7 passing through the light guide layer 3 and the photo output makes a response bistably to the photo input because of the saturable absorption characteristics of the quantum well layer and the photo feedback from the resonator surface 1 Moreover, the photo input to transmit the saturable absorption layer is guided by the light guide layers 9 and 3 and is outputted with little radiation loss.
其他摘要目的:通过一种方法,能够容易地制造标题元件并容易地将元件形成微观类型,其中元件具有全光操作的单一结构,并且在该结构中省去了诸如电极的电线。组成:这个光学双稳态元件由Al0.3Ga0.7As包层2,Al0.2Ga0.8光导层3,Al0.3Ga0.7As包层4和沟槽5组成,它们形成在GaAs衬底上如图1所示,Al0.3Ga0.7As包层6,8和10,可饱和吸收层7,Al0.2Ga0.8As光导层9和谐振器表面11,它们沿着侧面和底面层叠。通过这种结构,光输入被有效地引入穿过光导层3的量子阱层7中,并且由于量子阱层的可饱和吸收特性,光输出对光输入产生响应。此外,用于透射可饱和吸收层的光输入由光导层9和3引导,并且以很小的辐射损耗输出。
申请日期1984-10-19
专利号JP1986097987A
专利状态失效
申请号JP1984219867
公开(公告)号JP1986097987A
IPC 分类号H01L31/14 | G02F3/02 | H01S5/00 | H01S3/18
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84086
专题半导体激光器专利数据库
作者单位NEC CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
JINDOU MASAAKI. Optical bistable element. JP1986097987A[P]. 1986-05-16.
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